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摘要:
半绝缘GaAs是弛豫半导体,其电传输特性和通常的寿命半导体有所不同。对弛豫半导体和寿命半导体电特性的差异进行了介绍,并介绍了不同金属/半绝缘GaAs接触结构的电传输特性。
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文献信息
篇名 半绝缘GaAs电传输特性
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 弛豫半导体 电传输特性 砷化镓
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 43-45
页数 3页 分类号 TN304.23
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨瑞霞 河北工业大学电信学院 180 759 13.0 18.0
2 张富强 河北工业大学电信学院 3 12 1.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
弛豫半导体
电传输特性
砷化镓
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
总被引数(次)
1404
论文1v1指导