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半导体光电2000年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
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22
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 对60只670 nm可见光量子阱激光器进行电导数测试,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性.实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 利用四能级激光系统的速率方程,对激光二极管(LD)纵向泵浦Nd:YVO4/KTP腔内倍频绿光激光器激活介质和倍频晶体的长度对输出激光功率的影响进行了理论计算,给出了参数优化结果,分析了它的工...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 在紧束缚近似下,只计及最近邻的矩阵元,采用格林函数计算了自洽势修正对简立方纳米晶体颗粒的电子结构的影响,发现电子能谱发生了移动,化学势不等于格点原子能级,各格点的电子密度也发生了变化,其中以...
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34. 可溶性PPV衍生物电致发光器件刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 研究了MN-PPV薄膜的光致发光和电致发光特性.结果表明,单层器件中的电致发光峰值位置与所加电压无关;在双层器件结构(ITO/MN-PPV/Alq3/Al)中,当Alq3层很薄(小于或等于1...
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35. PPV的合成和光致发光光谱刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用Lenz法和Burn法合成了PPV,发现热转化温度是改变光致发光光谱的主要因素,随着热转化温度升高,谱峰发生红移,强度下降,谱峰形状变化很大;轻微的氧化、膜厚对发光强度有影响,对谱峰位置、...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 分析了硅微机械谐振式传感器在热激励下的挠曲及谐振频率变化,建立了相应的数学模型,并对热挠曲灵敏度进行了优化设计.同时通过算例和测试数据的对比,验证了谐振频率计算模型的正确性.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 综述了近红外激光二极管在气体传感中的应用,讨论了用于这一技术的器件和实验技术.文中讨论了用分布反馈(DFB)激光二极管、垂直腔面发射激光器(VCSEL)以及其他单频器件作为光源的激光气体传感...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD),根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益,提高激发效率的原理,通过改变常规 ZnS:Er ACTFELD 的基本结构,研制出多阻挡层器件.实验...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 文章推导了多层平板波导结构的半导体激光放大器(SLA)端面反射率的计算方法,为优化设计SLA端面增透膜参数提供了工具.对InGaAs/InGaAlAs多量子阱SLA端面增透膜参数进行了优化设...
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40. 光照对多孔硅生成的影响刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 研究了多孔硅制备过程中光照对孔隙率大小的影响.实验结果表明,在不同的光照度下孔隙率会出现一极大值.从光化学过程对这一结果进行了理论分析.
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41. 定向金刚石膜的合成及机理探索刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 采用热丝化学汽相淀积(CVD),未用别的辅助措施,合成了(100)晶面的金刚石膜.结合CVD金刚石成核的微观过程,探讨了定向金刚石膜的形成机理.发现和研究了表面扩散对CVD金刚石成核的重要影...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 阐明了有机电致发光(EL)显示器件的基本结构和工作机理,对比了无源矩阵和有源矩阵两种有机EL器件驱动方式,总结了有机EL器件的制作工艺.展示了现有的有机EL产品和各大研究机构的最新成果, 并...
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43. 有机聚合物材料的电致发光及其应用刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 论述了有机聚合物材料的电致发光原理和有机发光二极管的结构及影响器件量子效率、稳定性及寿命的因素.总结了目前该领域所取得的主要成果和面对的技术挑战.展望了21世纪有机发光材料的应用前景和商业化...
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44. 有机电致发光中能量传递的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 制备了一种以稀土铕钆络合物(Eu0.1Gd0.9)(TTA)3(TPPO)2为发光材料的新型有机电致发光器件,测试了器件的性能以及器件在77 K和300 K温度下的电致发光光谱,观察到了三重...
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45. 微腔有机发光二极管刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 设计了由分布布拉格反射镜(DBR)和金属反射镜面形成的微腔结构.利用8-羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层兼作发光层,TPD作为空穴传导层,制成了有机发光二极管(OLED)和微腔有机发光二...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 用改进的电子束蒸发系统制作了结构为ITO/CuPc/TPD/Alq3/MgAg的有机EL数码显示器件,并对器件进行了实用化封装.测量了器件的B-V曲线和电致发光光谱.研究了使用直流方式和交流...
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47. 单层有机半导体微腔效应的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 制作了DBR/ITO/PPV/Al微腔结构,研究了这种结构PPV发光器件的光致发光和电致发光特性.实验结果表明,由简单地调节夹于两金属电极镜面之间的PPV层厚度可实现微腔效应.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 合成了一种新型的Eu3+配合物--Eu(BA)2(MAA)(Phen),并将其作为红光发射材料制备了结构为Glass/ITO/Eu(BA)2(MAA)(Phen)/Al的有机电致发光薄膜器件...
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49. 有机发光二极管矩阵显示技术的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在得到稳定的绿色有机薄膜电致发光器件的基础上,对矩阵显示屏及动态显示技术进行了研究.得到了面积为48 mm×30 mm、分辨率为2线/mm的96×60像元矩阵显示器,其中单位像元的有效发光面...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 采用溅射技术在透明的塑性材料聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜之上形成一层ITO导电膜,并以此替代常用的玻璃衬底制备了黄光柔性衬底有机小分子电致发光器件,器件的结构为PET/ITO/Alq3:...
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51. Si基有机异质结势垒特性的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在电阻率为0.2 Ω.cm的p-Si衬底上沉积了厚度为20 nm的有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)薄膜,由此形成有机/无机异质结.从它们的能带结构出发,通过实验测试分析了这种有机/无...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 研究了用光漂白方法制备PMMA/DR1聚合物X连接型非线性波导.将波长为1 064 nm的YAG脉冲激光通过光纤耦合到波导中,研究了波导两端口光波模式转换情况,并观察到了光信号的自开关效应....
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 为了实现半导体微盘激光器的单模面发射,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器.通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 利用导出的描述外腔半导体激光器(ECLD)双稳特性的阈值载流子密度与振荡频率之间关系的基本方程,求得了跳变点处的载流子密度及频率的解析表达式,并由此分析了双稳环宽度随ECLD几个关键参量的大...
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55. 场发射阵列中的分布电阻层刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列(FEA).讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响.实验结果表明,通过引入电阻层,器件发射的不均匀性得到较大改善,异常发射得到有效的...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 采用N+离子注入的方法,对气-固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂,研究了N+离子注入能量和剂量对CuxS薄膜组分的影响.结果表明,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例,使薄膜组分更接近...
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57. 硅浅结紫外光探测器的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光(UV)探测器,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果.实验证明,这种探测器能够有效地探测波长为200 nm至400 nm的紫外光...
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58. 级联相移光纤光栅反射特性的分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 计算了单级、多级相移光纤光栅在其折射率变化Δn为均匀分布、高斯分布和升余弦分布情况下的反射特性,分析了Δn的分布参数、光栅强度、光栅中的直流耦合系数、级联光栅中各级光栅的初相和相移及不同的相...
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59. 分形维数与光学小波变换刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 用光学方法成功地进行了分形图像的小波变换,并测出其分形维数.分形维数值的测定可以推动分形动力学的研究与发展.实验证明,光学小波变换不失为一种实时分析分形图像的重要方法.
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60. 二维光子晶体的带隙分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 研究了三角形二维光子晶体的带隙随结构参数的变化规律.计算表明,对于空气柱等边三角形二维光子晶体,当介电常数比为13:1时,最佳填充比为0.78,最大带宽是0.094(Δωa/2πc);当填充...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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