低能离子注入对CuxS薄膜组分的影响

• 作者: 刘效增 吴洪才 曹猛 李宁 李成全 郑建邦
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 CuxS薄膜 富铜型薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 199-202
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3|O484.4
• 字数: 2529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.03.015

摘要

采用N+离子注入的方法,对气-固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂,研究了N+离子注入能量和剂量对CuxS薄膜组分的影响.结果表明,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例,使薄膜组分更接近于富铜型,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进一步证实了这种结构转变的存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪才	西安交通大学电信学院	86	779	15.0	23.0
2	刘效增	西安交通大学电信学院	10	44	4.0	6.0
3	李宁	西安交通大学电信学院	154	1117	16.0	27.0
4	曹猛	西安交通大学电信学院	25	109	6.0	9.0
5	郑建邦	西安交通大学电信学院	10	86	6.0	9.0
6	李成全	西安交通大学电信学院	3	19	1.0	3.0