半导体光电期刊
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半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位:
重庆光电技术研究所
期刊荣誉:
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号44所内
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  • 作者: 廖先炳
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  1-3,39
    摘要: 概述了我国光纤通信用光有源器件和光无源器件的现状和发展方向.
  • 作者: 叶好华 叶志镇 黄靖云
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  4-7
    摘要: 硅是间接带隙半导体, 不能有效地发光.量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑.研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光:多孔硅、纳米硅、Si/SiO2超晶...
  • 作者: 任晓敏 吴荣汉 牛智川 钟源 黄永清
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  8-11
    摘要: 报道了一种具有平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器.使用数值模拟的方法对这种新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器与传统的RCE光电探测器的响应曲线和串扰特性进行了分析和对比, 分析...
  • 作者: 季杭峰 屈洪昌 林斌 黄德修
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  12-15
    摘要: 报道了一种自由空间型双级光隔离器,其隔离度大于59dB,插入损耗小于0.3dB, 工作带宽达60nm,尺寸结构适于半导体激光器模块的内置封装.给出了其基本原理、性能分析、结构设计以及测量方法...
  • 作者: 唐明浩 张世林 张振宇 李树荣 沙亚男 郑云光 郭维廉 黄杰
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  16-19,32
    摘要: 研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成...
  • 作者: 贾振红
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  20-22
    摘要: 研究了用光漂白的方法制备PMMA/DR1聚合物非线性定向耦合器,提出了一种容易的制备方法来得到要求的耦合长度.测量了材料的光学非线性对定向耦合器两臂透过率的影响.实验结果表明由于光学非线性,...
  • 作者: 刘伟吉 刘式墉 徐晓春 敖金平 曾庆明 李献杰 杨树人 柯锡明 梁春广 王全树 王志功 赵方海
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  23-25
    摘要: 采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光...
  • 作者: 乔树允 刘伟吉 徐晓春 敖金平 曾庆明 李献杰 王全树 赵永林
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  26-28
    摘要: 介绍了利用InGaAs 长波长金属-半导体-金属(MSM)光探测器与InAlAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等...
  • 作者: 吕国伟 林如俭 薛自醒
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  29-32
    摘要: EDFA的增益不平坦是限制DWDM系统性能的一个重要因素,目前已经提出了许多方案来改善EDFA在整个C波段内的增益谱.采用双级串联结构,并在两段光纤中间加入增益均衡滤波器来实现增益平坦.通过...
  • 作者: 吴重庆 王秀彦 董建军
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  33-36
    摘要: 从无损光波导的传输矩阵出发,研究了两段单模光纤的偏振模色散(PMD)的关系,以及整段光纤与各部分PMD之间的关系,并对结果进行了讨论,指出合理的配置各部分光纤的参数,可以达到偏振模色散补偿的...
  • 作者: 宁提纲 童治 简水生 裴丽 魏淮
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  37-39
    摘要: 对于长周期光栅,谐振波长阶数越高,封装材料折射率对其特性的影响越大;封装材料折射率小于包层时,随封装材料折射率增大,波长减小;封装材料折射率大于包层时,波长向长波长移动1.5nm.研制了一种...
  • 作者: 万春明 佟首峰
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  40-43
    摘要: 对于CCD相机的空间分辨率特性,通常用调制传递函数来表征.基于调制传递函数理论分析值与具体的实验测试值存在差别,分别对分辨率板在焦平面所成的像与CCD像元之间的偏移量和积分时间内被摄物体与相...
  • 作者: 何金田 冯绚 张全法
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  44-47
    摘要: 利用面阵CCD测量不规则平面物体面积时,图像畸变对测量精度影响很大.按照常规方法对图像进行校正后再测量面积,则速度太慢.针对面积测量,介绍了两种快速校正方法,并进行了比较.通过实验,证明该方...
  • 作者: 李伟良 李鹏 江绍基 蔡志岗 靳珂
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  48-50
    摘要: 研制出了一台初步达到市场商品化标准的光时域反射仪.阐述了光时域反射仪的工作原理和制作方法,对它的每个组成部分,包括光器件、电子器件以及测量软件都做了说明.通过对光纤样品的测量,分析了这台光时...
  • 作者: 杨志文 王晋疆
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  51-53
    摘要: 介绍了光学三维传感的几种主要的方法,例如:传播时间法、光学三角测量法、光栅投影法等,并且对它们作了比较和总结.这可以作为今后正确和广泛应用三维传感技术的参考.
  • 作者: 佘灿麟 吕晓旭 熊秉衡 钟丽云 陈虹
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  54-56
    摘要: 相移技术对实现全息干涉计量中条纹的自动分析有非常重要的作用.在理论分析的基础上,提出用非线性方差法替代傅里叶峰值探测法,即用最小方差替代寻找最小值匹配函数的方法来校正全息干涉计量中PZT装置...
  • 作者: 于黄中 任斌 刘少琼 熊予莹 黄河
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  57-60
    摘要: 采用原位聚合的方法制备了PANI/TiO2纳米复合材料,用樟脑磺酸掺杂PANI/TiO2(EB)得到纳米复合膜.使用红外光谱、紫外光谱、荧光光谱及透射电镜探讨了复合材料的光电性能.
  • 作者: 刘小兵 史向华
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  61-62,68
    摘要: 基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的.
  • 作者: 刘翔 吴长树 廖仕坤 张鹏翔 杨家明 赵德锐 陈庭金
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  63-65
    摘要: 极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致结构缺陷--反相畴产生,而选用(100)面偏向[0...
  • 作者: 王静端
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  66-68
    摘要:
  • 作者: 曾毓敏
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年1期
    页码:  69-71
    摘要: 给出了两种非常适合作为APD偏置电路的高效、低耗、低纹波输出、可控式高压发生电路,同时给出了电路的应用说明.
  • 作者: 刘旭 唐晋发 范希智 顾培夫
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  73-76
    摘要: 概述了稀土有机配合物电致发光薄膜器件的材料、结构、发光机理以及目前研究的状况、出现的问题和研究的发展趋势.
  • 作者: Nasser N M 叶志镇 李嘉炜
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  77-80
    摘要: GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点.由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能.总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展,从生...
  • 作者: 万助军 张晟 曹明翠 罗风光
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  81-83,86
    摘要: 设计了一种WDM-ISO-TAP混合器件,该器件集成了波分复用(WDM)、隔离器和分光耦合三种功能,可以用于掺铒光纤放大器的后向泵浦.对该器件的加工和装配误差进行了分析,并参照现有器件水平,...
  • 作者: 武占春 王晓燕 袁凤坡 顾卫东
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  84-86
    摘要: 采用应变GaInAs/AlGaAs量子阱结构,研制出了激射波长为1.064μm的激光器线阵列.在200ns脉宽、100kHz和50A工作条件下,5mm线阵列的输出功率达到了35W...
  • 作者: 刘云 宋晓舒 曹玉莲 王乐 王立军 程东明
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  87-89
    摘要: 介绍了用(NH4)2S和P2S5-NH4OH处理半导体激光器的表面来避免光学灾变的方法.重点介绍用氮离子注入形成窗口结构来避免光学灾变.
  • 作者: 张兴德 李忠辉 李梅 王玉霞 王玲 高欣
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  90-91,95
    摘要: 利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长较短时,阈值电流密度随腔长的变化而...
  • 作者: 林鸿生 段开敏
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  92-95
    摘要: 基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si∶H中正空间电荷密度的增加,从而...
  • 作者: 徐兰芳 沐仁旺 纪宪明 韩良恺
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  96-98,105
    摘要: 介绍了一种自聚焦滤波器,它是用二元光学的方法把匹配滤波器和菲涅耳波带片组合在一起,制成一个具有自聚焦功能的位相型元件,用于探测图像边缘信息时可极大地简化光路,并且调节方便,同时提高了衍射效率...
  • 作者: 王立军 秦莉 陆景彬 马春生
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2002年2期
    页码:  99-102
    摘要: 通过解弯曲波导的正规模的方法,从理论上分析了微环谐振器的弯曲损耗与微环的直径、宽度和厚度间的对应关系,给出了微环谐振器的弯曲损耗与微环芯和周围介质折射率对比间的关系.将上述的计算结果与保角变...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

期刊荣誉
1. 信息产业部优秀电子期刊
2. 重庆市优秀期刊

半导体光电统计分析

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