多孔硅光致发光谱的多峰结构

• 作者: 刘小兵 史向华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 多峰结构
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 61-62,68
• 页数: 3页
• 分类号: O471.1|O433.2
• 字数: 2035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.01.018

摘要

基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史向华	长沙电力学院物理与信息工程系	25	84	5.0	8.0
2	刘小兵	长沙电力学院物理与信息工程系	28	102	5.0	8.0