多孔硅光致发光峰半峰全宽的压缩

• 作者: 任鹏 刘小兵 史向华 廖家欣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 超声声空化
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 402-406
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.03.024

摘要

硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的.目前已有的使硅产生发光的方法有:掺杂深能级杂质、掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格.声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备光致发光多孔硅薄膜提供了一条重要的途径.实验表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质.这种超声波的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃.在多孔硅的腐蚀过程中,由于超声波的作用增加了孔中氢气泡的逸出比率和塌缩,有利于孔沿垂直方向的腐蚀,使多孔硅光致发光峰的半峰全宽压缩到了3.8 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史向华	长沙理工大学物理与电子科学系	10	15	3.0	3.0
2	刘小兵	长沙理工大学物理与电子科学系	29	42	4.0	4.0
3	廖家欣	长沙理工大学物理与电子科学系	17	68	4.0	7.0
4	任鹏	长沙理工大学期刊中心	12	32	3.0	5.0