多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响

• 作者: 李清山 王佐臣 王晓静 王桂珍 王菲菲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 制备条件 PL光谱
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 261-266
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.008

摘要

不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因.对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响.认为在一定的范围内,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移,要获得较强的发光,需要选择合适的电流密度;随着腐蚀时间的延长,多孔硅的发光峰位也发生蓝移.当HF酸的浓度较小时,峰位随浓度的增大表现为向低能移动;而当HF酸的浓度较大时,峰位随浓度的增大则表现为移向高能.多孔硅在空气中自然氧化,其发光峰位发生蓝移,而发射强度随放置时间的延长而降低.并用量子限制模型和发光中心模型对实验结果进行解释.