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半导体光电2003年第4期出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
总被引数（次）
22967
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
总被引数（次）
22967
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 叙述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,分析了实现长波长垂直腔型器件的难点.最后介绍了晶片键合技术在长波长垂直腔型器件研制中的应用.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 简要介绍高功率光纤激光器的工作机理及研究现状,概述了高功率光纤激光器在通信、工业、军事、医疗等方面的应用,并对其未来发展前景进行了展望.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 介绍了pDCH聚合物纤维的结构、制作方法、力学性能,综述了该纤维与环氧树脂复合成复合材料的应力转移效果等问题的研究现状,提出并论述了它同时作为增强纤维材料和传感材料使用的可行性.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 介绍了目前实现高性能InP基谐振腔型(RCE)长波长光探测器的几种方案.采用InP-空气隙DBR结构、正入射光、响应波长为1550nm的高灵敏度、高速InP基长波长RCE光探测器,在1510...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 首先确定了三片式投影用硅基液晶(LCoS)显示器应具备的显示性能参数,进一步提出LCoS显示芯片器件物理结构及其电路组成框图.从芯片整体角度介绍了设计方法,详述了运用Cadence EDA工...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 尝试选择不同的衬底材料﹑不同的工艺条件,以及合理的结构,来改善硅双结色敏器件的蓝紫光响应,并在此基础上制作了蓝紫响应较好的器件.通过测试与分析,得出采用单晶衬底材料﹑深结较浅工艺的N+PN ...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析.结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道.在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布...
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8. 级联SOA回波损耗分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用回波损耗分析方法,研究了单个半导体光放大器(SOA)模块和级联SOA的反馈抑制问题.拉锥光纤直接耦合SOA的净增益难以超过14dB.提出了一种采用光隔离器和斜端面光纤耦合SOA结构,可...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 分析了pin/HBT OEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式.分析表明,这种集成方式的光接收机前...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 实验研究了基于电吸收调制器(EAM)的限幅和降噪特性.结果表明,在适当的偏置电压下,EAM有很好的限幅特性;EAM也有一定的降低自发辐射噪声(ASE)的作用.因此,EAM适合作为在线光开关,...
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11. 皮焦耳光脉冲能量测试刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 研制了用于测量皮焦尔量级光脉冲的微能量计.系统采用PIN光电二极管完成光电转换,由电荷积分器对光脉冲产生的电荷进行积分,得到与能量成正比的电压,从而实现对光脉冲能量的测量.结果表明,该微能量...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 介绍了过采样ΣΔA/D转换器的原理,分析了这种转换器精度高、结构简单、易于实现的优点以及符合CMOS工艺集成要求的特点.根据这些特点指出,过采样ΣΔA/D更适合于CMOS图像传感系统并易于制...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 提出了一种基于动态源随器的、用于CMOS焦平面阵列的新结构相关双采样保持电路,并与现有的相关双采样保持电路作了详细的比较.理论分析和模拟结果表明,这种新结构的相关双采样保持电路具有结构简单、...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 对InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)在探测单光子过程中出现的小脉冲现象进行了研究,分析了小脉冲的产生原因,并讨论了其对光子计数及时间精度的影响.同时在准单光子条件下进行了试验,并在...
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15. 硅光电二极管的线性度及信噪比分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 通过分析光电检测时硅光电二极管线性响应及噪声特性,给出了硅光电二极管的线性度及信噪比公式,并结合噪声的电流-电压模型,对光电二极管用于光电检测时影响电路信噪比的因素进行了探讨.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 介绍了一种基于衍射光栅干涉的透明材料折射率测量方法.讨论了测量的基本原理、对CCD获取数据的处理方法和样品的测量结果.这种方法使用的仪器少,操作简单,运用CCD作为观测分析的工具,测量精度能...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料.利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构.
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18. CdZnTe晶片的红外透过率研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 测试了多个性能各异的Cd0.9Zn0.1Te晶片的红外透过率.研究表明,红外透过率与晶片的性能有着密切的联系,即红外透过率的大小及红外透过率图谱的形状可反映晶片的成分分布、位错密度以及杂质含...
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19. 一种制备氧化钒薄膜的新工艺刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜.电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 借助于锁相放大技术和其他一些电化学研究方法,探讨了GaAs/Ga1-xAlxAs复合结构半导体材料的光电行为,分别对不同复合结构和同一复合结构、掺杂Al组分不同的半导体材料的开路输出光电压和...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 介绍了1.55μm波长的光子晶体激光器的结构、制作技术和谐振腔设计.同时介绍光子晶体的激射特性.最后,展望了光子晶体激光器的应用前景.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 简要介绍了有机/高分子电致发光平板显示屏的发展历史、现状,以及在未来平板显示领域中可能处于的地位.介绍了有机/高分子显示屏的制备工艺、发光材料、专利情况、市场前景,以及目前产业化发展所面临的...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
半导体光电统计分析
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