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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要：
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要：
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4. 硅基GaN功率半导体技术刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 宽禁带半导体氮化镓( GaN)器件具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统Si材料器件所不可比拟的优势.Si基GaN( GaN-on-Si)功率...
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5. IGBT器件的发展刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗及BJT的低导通压降,以及驱...
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6. IGBT模块封装新技术刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 近年来,市场对功率模块的需求是体积越来越小,可靠度越来越高.功率模块由很多种材料组成,主要需要克服的挑战是对于可靠性需求的迎合.这些新的需求将加强优化封装并克服原有封装的局限性.在此研究了影...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 介绍了近年来半导体脉冲功率开关的发展和应用情况,具体包括反向开关晶体管(RSD)、半导体断路开关(SOS)、脉冲晶闸管、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和SiC-JFET.描...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 新一代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的关断速度越来越快,有些IGBT的电流下降时间已经缩短至50 ns内.虽然这样有利于提高IGBT的开关频率,但也会带来一些问题.短路情况下的硬关断所产生的...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 大功率IGBT模块成本较高且容易损坏,在使用时需对其及相关电路进行仿真以考察其电应力,但电力电子仿真软件缺少对此类IGBT模块的模型支持.采用Saber的IGBT1建模工具建立了FZ600R...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 在IGBT关断过程中,过大的du/dt和di/dt将会引起器件的过电流和过电压,从而损坏器件.为了控制IGBT的开关特性,通常在栅极串联电阻,其大小与du/ dt和di/dt有直接关系.传统...
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11. IGBT静态参数测试方法研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 通过对IGBT器件静态参数测试方法的研究,初步设计了基于LabVIEW图形化程序为控制平台,并采用单片微处理器嵌入式结构的全自动IGBT及快恢复二极管(FRD)静态参数综合测试系统,能够按照...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 基于内透明集电极(ITC) IGBT技术,提出了一种ITC超结IGBT(SJ-IGBT)结构.利用器件仿真工具,研究了SJ -IGBT的导通、开关、短路特性,并与普通平面栅ITC-IGBT技...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要：
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14. IGBT动态参数测试方法研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 通过试验验证,研制出用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块及快恢复二极管(FRD)的动态参数测试系统,并采用基于GPIB总线技术的计算机集成测试系统设计,可实现示波器与PC之间的波形传输,并...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： SiC结型场效应功率晶体管(JFET)是目前较成熟的宽禁带功率半导体,具有良好的电气性能.但在使用过程中,JFET存在常态下开通的特性与开关时du/ dt对驱动电压影响较大的问题.在分析器件...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通-高电子迁移率晶体管(RC-HFET).通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接,RC-HFET获得了一个逆向导电通路,从而相...
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17. SiC MOS器件关键技术研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiC MOS器件的关键技术.针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题,采用电子回旋共振(ECR)微波氢等离子体对SiC表面进行预处理,研究...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要：
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 功率因数校正( PFC)变换器是电源系统中重要的组成部分.由于受限于传统Si二极管这一瓶颈,使得目前PFC系统中还存在效率低、开关损耗大、散热器体积大、开关管和二极管电压、电流的开关应力大等...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 分析讨论了共源共栅级联结构GaN晶体管的工作机理,研究了影响开关速度的主要因素,提出了驱动电路的设计方法.分析了级联GaN HEMT反向恢复电荷的产生和影响因素,并与SiC二极管进行比较.通...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 仿真研究了垂直侧壁槽(Type1)和梯形侧壁槽(Type2和Type3)600V超结金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)击穿电压随电荷失衡的变化关系.在p柱、n柱均匀掺杂条件下,Typ...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 研究了Si衬底A1GaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响.基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 介绍了基于高频交流链接技术(HF AC-link)的串联谐振变换器,简要分析了该变换器的工作原理及1个工作周期内的3个工作过程,并给出了一种新的基于电荷分配的控制算法,其控制参数与三相交流相...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 为了提高单相光伏并网逆变器的性能,根据其状态平均模型,提出了一种基于李雅普诺夫稳定性理论的并网控制策略.为了说明该控制策略的有效性,分别对其进行了仿真和实验验证,结果表明:基于李雅普诺夫稳定...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 给出一种适用于光伏逆变器低电压穿越(LVRT)的锁相技术.通过采用正序电压滤过器滤除电网中的负序电压信号,利用软件锁相环得到电压正序同步角度.实验结果证明,该技术能锁定不平衡电网跌落条件下的...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 综述了硅高压功率快恢复二极管抗动态雪崩技术的发展,包括快恢复二极管发生3种不同程度的动态雪崩的过程和原理,提高了快恢复二极管动态雪崩抗性的技术,完善其原理,并对其优点与不足进行了分析.
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28. 风电并网逆变器控制方法研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 为了降低逆变器输出电流的开关频率谐波分量,在并网逆变器设计中引入三阶的T型滤波器,推导了并网逆变器的数学模型.并网逆变器的控制策略就是选择合适的变量控制其桥臂输出电压,在保证系统稳定运行的同...
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29. 一种预测电压反馈控制技术的研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 能源危机和环境污染问题的不断加剧,使得对可再生能源的利用变得越来越重要,风能是目前世界上发展最快的可再生能源.独立的小型风力发电系统中,逆变器输出的电压波形质量对独立负载而言最为重要.在结合...
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30. IGBT器件的门极驱动模型及应用刊名： 电力电子技术发表期刊： 2012年12期页码:摘要： 针对IGBT器件驱动电路损耗计算及驱动电源设计,分析了IGBT器件门极控制机理,建立了器件驱动电路在开关过程的等效电路,推导了门极电压和电流的解析式,给出了驱动功耗的计算方法.仿真和实验结果...
电力电子技术基本信息
| 刊名 | 电力电子技术 | 主编 | 吕庆敏 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 西安电力电子技术研究所 | 主管单位 | 西安电力电子技术研究所 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-100X | CN | 61-1124/TM |
| 邮编 | 710061 | 电子邮箱 | dldzjstg@163.com |
| 电话 | 029-85271823 | 网址 | www.dldzjs.com |
| 地址 | 西安朱雀大街94号 |
电力电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 中国科学引文数据库 |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 获中国科技核心期刊 |
| 2. | 获中文核心期刊 |
| 3. | 获学位与研究生教育中文重要期刊 |
电力电子技术统计分析
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