具有逆向导通能力的GaN功率开关器件

• 作者: 刘扬 姚尧 张波 魏进
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 逆向导通 体二极管
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 新型电力电子器件专辑
• 页码范围: 67-68
• 页数: 2页
• 分类号: TN32
• 字数: 1083字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通-高电子迁移率晶体管(RC-HFET).通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接,RC-HFET获得了一个逆向导电通路,从而相当于一个功率开关与二极管反并联结构.RC -HFET正向工作的原理与传统HFET相似,导通电阻与传统HFET相近.在器件制造上,RC-HFET与传统HFET完全兼容,无需额外的光刻版及加工流程.因此,在电机驱动等需要反向续流的功率系统中,RC-HFET消除了对续流二极管的需求,提供了一种更具成本优势的方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	刘扬	中山大学物理科学与工程技术学院	22	66	4.0	7.0
3	姚尧	中山大学物理科学与工程技术学院	10	40	3.0	6.0
4	魏进	中山大学物理科学与工程技术学院	2	4	2.0	2.0