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241. 基于EMI滤波器的变频器传导电磁干扰抑制刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 以兆瓦级别变频调速系统为研究对象,分析了系统负载阻抗特性和阻抗匹配程度对电磁干扰(EMI)滤波器插入损耗的影响,在此基础上介绍了带阻抗匹配网络的EMI滤波器,对兆瓦级别变频调速系统进行了原始...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 采用传统无迹卡尔曼滤波器(UKF)来估计锂电池荷电状态(SOC)的结果较为精确,但其应用前提是要精确获得系统过程噪声和观测噪声的统计特性.结合UKF与自适应滤波,提出一种自适应UKF(AUK...
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243. 基于贯通供电系统的多变电所并网控制的研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 贯通式同相供电系统作为一种新型牵引供电系统,通过电力电子技术实现牵引网的全线贯通,彻底取消了牵引网上的过分相装置.以五电平三相/单相变换器的贯通式同相供电系统为例,分析了两变电所之间的环流特...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： IHM-B封装绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块有3组功率端子,其内部可等效为3组IGBT并联.母排杂散电感的分布对流进该模块功率端子电流的不均流程度有很大影响.以一种半桥式结构的母排作为研...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 为了增大单变流器的输出电流和功率密度,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块往往被并联使用.实际使用过程中电路拓扑结构的不对称对并联模块的均流特性有非常大的影响.研究了电路拓扑结构对并联模块...
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246. 中低压IGBT短路失效分析研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 针对中低压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件GPU50HF120D1W1进行了不同短路时间的测试,发现存在4种短路失效模式,通过定义临界短路能量,将4种失效模式分为两大类.高于临界能量的失效...
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247. 层叠母排并联支路杂散电感建模及测量方法刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 建立精确母排的杂散电感模型是准确分析绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可靠性的关键问题之一.大功率IGBT模块通常存在2～3个功率端子,端子之间的均流特性与母排所在支路的杂散电感相关.以一台三相...
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248. 双LCL谐振型电动汽车无线充电系统研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 针对电动汽车(EV)续航较短需频繁充电及雨天充电存在安全隐患的问题,提出一种基于双LCL复合谐振网络的EV无线充电方法,通过调节逆变器的输出频率及初级谐振电容的切入和切出即可实现负载的恒流、...
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249. 无刷直流电机霍尔位置传感器故障处理研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 无刷直流电机霍尔位置传感器的故障处理通常采用位置补偿法或无传感器控制法,其中位置补偿法在解决单路霍尔故障时效果理想,但无法处理3路霍尔故障.使用无传感器控制方式解决多路霍尔故障时运行效果理想...
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250. 基于锁相环的永磁同步电机无位置传感器控制刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 传统中高速永磁同步电机(PMSM)磁链观测法无位置传感器控制存在定子磁链积分偏移和转子位置、转速估算值易波动等问题.针对上述问题,提出一种利用一阶惯性滤波器求取定子磁链和基于锁相环(PLL)...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 针对汽轮发电机组接入串补输电系统的次同步振荡(SSO)和轴系扭振问题,提出在机组电网侧安装角型链式静止无功补偿器(STATCOM),并采用专用于抑制SSO的控制策略.在上层控制策略中,设计一...
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252. 有源电力滤波器的双环模糊自适应PI控制刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 有源电力滤波器(APF)的直流侧电压稳定、补偿电流准确跟踪对APF的补偿效果起着至关重要的作用.针对非理想情况下APF精确数学模型难以获得,传统比例积分(PI)控制器参数难以整定,导致系统动...
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253. 微电网变流器控制模式切换方法的研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 在微电网控制技术发展过程中,单一的PQ控制或下垂控制均很难同时满足分布式发电并、离网状态的高效率运行,在微网不同运行状态采用不同的控制策略将极大提高微网运行效率.在深入研究微网变流器不同控制...
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254. 改进开关电感型Z源逆变器刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 为改善传统Z源逆变器(ZSI)升压增益小、电容器电压应力大、启动冲击大等缺点,提出了一种改进开关电感型ZSI (ISI-ZSI).该逆变器不但保留了传统ZSI的优点,而且可以提高升压因子,在...
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255. 用于蓄电池充电的半桥三电平变换器设计刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 根据蓄电池最佳充电电流曲线,对蓄电池采用分段式充电的方法,这样不仅可缩短充电时间,且能避免蓄电池在充电过程中受到损坏.该蓄电池充电系统采用半桥三电平变换器作为主电路,并以DSP芯片F2803...
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256. 新型MMC电容电压均衡控制策略刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 模块化多电平变换器(MMC)的子模块电容电压均衡问题是工程应用急需解决的难点之一.传统排序均压控制算法,存在需多个电流传感器的问题,推导了桥臂电流与相电流的关系,分别针对电压型与电流型调制策...
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257. 电除尘用电源自适应调压系统设计刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年7期页码:摘要： 设计一种电除尘器(ESP)用电源自适应调压系统,详细介绍了打火信号捕捉电路、自适应调压控制电路及辅助开关电源,克服了传统手动机械式调压方式误差大、效率低、可控性差等缺点,提高了电除尘器的除尘...
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258. SiC功率MOSFET器件研制进展刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥.介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 基于自主绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),研制3 300 V/500 A SiC混合模块,完成模块的性能测试及热阻测试,并与Si IGBT模块进行...
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260. SiC结势垒肖特基二极管及JMOS介绍刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性.JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额...
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261. 宽禁带SiC单晶衬底研究进展刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体器件的理想材料...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： The advancements in the technology development for silicon carbide(SiC) lateral devices are sum...
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263. SiC MOSFET静态温度特性研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 以实际碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件为对象,首先测试了不同温度下的转移和输出特性,获取了温度对其阈值电压、跨导、导通电阻和内栅极电阻的影响规律,接着基于所得...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10 kV 4H-SiC光触发晶闸管(LTT)进行了研究.短基区的施主杂质呈梯度分布,未耗尽时会在纵向产生感生电场,使短基区的少子输运从单一...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)过短的短路承受时间增大了短路保护的难度,传统退饱和法较长的检测时间容易对SiC MOSFET造成严重冲击.印制电路板(PCB)罗氏线圈高带宽...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用“热壁”CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在100 kHz低频(LF)功放应用中出现的串扰问题,考虑SiC MOSFET寄生参数分阶段研究串扰过程,分析关键参数对串扰电...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能.采用15 kV中压SiC绝缘...
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269. SiC IGBT正向导通特性研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)兼具了导通损耗低、开关频率高的显著优势,已成为下一代高压开关器件的重点研究对象.然而,由于高质量的SiC衬底、外延材料制备不易,器件机理及工艺流程较为复杂...
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270. GaN功率开关器件的产业发展动态刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 氮化镓(GaN)功率电子器件具有优异的电学特性,在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景,满足下一代功率管理系统对高效节能、小型化和智能化的需求.P型栅和Cascode结构的常关型Ga...
电力电子技术基本信息
| 刊名 | 电力电子技术 | 主编 | 吕庆敏 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 西安电力电子技术研究所 | 主管单位 | 西安电力电子技术研究所 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-100X | CN | 61-1124/TM |
| 邮编 | 710061 | 电子邮箱 | dldzjstg@163.com |
| 电话 | 029-85271823 | 网址 | www.dldzjs.com |
| 地址 | 西安朱雀大街94号 |
电力电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 中国科学引文数据库 |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 获中国科技核心期刊 |
| 2. | 获中文核心期刊 |
| 3. | 获学位与研究生教育中文重要期刊 |
电力电子技术统计分析
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