SiC MOSFET静态温度特性研究

• 作者: 卢志飞 李世强 李剑波 汪洋
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 碳化硅 静态特性
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

以实际碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件为对象,首先测试了不同温度下的转移和输出特性,获取了温度对其阈值电压、跨导、导通电阻和内栅极电阻的影响规律,接着基于所得到的温度特性实验结果,建立了SiC MOSFET静态等效电路模型,最后对该模型进行了验证.结果表明,温度对SiCMOSFET静态特性及参数的影响较为明显,所建立的等效电路模型能正确反映SiC MOSFE的静态特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪洋	国网浙江省电力公司舟山供电公司	3	6	1.0	2.0
2	卢志飞	国网浙江省电力公司舟山供电公司	10	26	2.0	5.0
3	李世强	国网浙江省电力公司舟山供电公司	7	3	1.0	1.0
4	李剑波	国网浙江省电力公司舟山供电公司	6	8	2.0	2.0