高速SiC MOSFET开关特性的测试方法

• 作者: 李艳 梁美 赵红雁 郑琼林
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 测试方法 开关特性 高速SiCMOSFET 寄生参数
• 年，卷（期）: 2017,（14）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 87-95
• 页数: 9页
• 分类号: TM133
• 字数: 5084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L70526

摘要

为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究.首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果.其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响.然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响.最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑琼林	北京交通大学电气工程学院	196	3061	32.0	50.0
2	梁美	北京交通大学电气工程学院	7	65	2.0	7.0
3	李艳	北京交通大学电气工程学院	53	250	9.0	14.0
4	赵红雁	北京交通大学电气工程学院	6	4	1.0	2.0