用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型

• 作者: 巴腾飞 李艳 梁美 郑琼林
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分析模型 碳化硅MOSFET 寄生参数 开关特性 开关损耗
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 148-158
• 页数: 11页
• 分类号: TM133
• 字数: 5243字
• 语种: 中文

摘要

为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响,提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型.该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电容及非线性跨导系数等参数.详细介绍了建立分析模型的原理,并给出了分析模型中各关键参数的提取方法.对比了基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果,对比电压电流波形匹配度较高,证明了此分析模型的正确性.对比了分析模型的开关损耗与基于实验计算的开关损耗,对比结果显示两者存在偏差,而分析表明基于实验计算开关损耗的方法为不准确方法.最后基于所提出的分析模型分析了不同寄生参数对开关特性的影响,并为优化高频电路设计提出了建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑琼林	北京交通大学电气工程学院	196	3061	32.0	50.0
2	梁美	北京交通大学电气工程学院	7	65	2.0	7.0
3	李艳	北京交通大学电气工程学院	53	250	9.0	14.0
4	巴腾飞	北京交通大学电气工程学院	2	0	0.0	0.0