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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
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总被引数（次）
9543
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  • 1. 硅基雪崩光电二极管技术及应用
    作者： 陈全胜 张明 彭时秋 陈培仓 王涛 贺琪
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  1-7
    摘要： 硅基雪崩光电二极管是一种可用于对微弱光甚至单光子进行探测的光电器件,被广泛应用于激光测距、激光成像、量子通信和生物医疗等领域.从工作原理、常见结构和分类3个方面对硅基雪崩光电二极管的技术进行...
  • 2. 功率器件封装用纳米浆料制备及其烧结性能研究进展
    作者： 杨帆 杭春进 田艳红
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  8-17
    摘要： 随着SiC、GaN等第三代半导体在大功率器件上的应用,功率器件的工作温度可达到300℃,传统Sn基无铅钎料因为熔点低及钎焊温度高等原因无法满足要求.纳米浆料因其可以实现低温烧结、高温服役的特...
  • 3. 真空共晶焊接金属电极片变色问题改善工艺研究
    作者： 吴文辉 吴明钊 蔡约轩 王凯星 陈膺玺
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  18-23
    摘要： 多芯片组装共晶焊接技术是在芯片的端部和金属电极片之间添加焊料,在合适的温度、时间、真空度以及气氛下实现两表面的共晶物熔合,具有低空洞率、焊接强度高等优点.封闭的炉腔内焊料中的挥发物和氧气会造...
  • 4. 铜带缠绕型焊柱装联结构的板级热-机械可靠性研究
    作者： 吕晓瑞 林鹏荣 王勇 刘建松 杨俊
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  24-31
    摘要： 陶瓷基板与印制电路板之间的热膨胀系数差异较大导致的热失配,和大尺寸、高质量带来的抗振动性能下降,是这类器件板级装联失效的主要原因.针对铜带缠绕型焊柱CCGA板级装联结构在温度循环和随机振动载...
  • 5. GaAs多功能MMIC在片测试系统设计
    作者： 陈金远 焦芳 王逸铭 林罡
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  32-35
    摘要： GaAs多功能MMIC集成度高,数模混合驱动及测试需求考验测试平台的兼容性和稳定性.采用PXI平台模块化测试仪器结合矢量网络分析仪设计多功能MMIC在片测试系统,满足GaAs多功能MMIC的...
  • 6. 脱模剂(蜡)对EMC/红胶体系间密着性影响的研究
    作者： 李泽亮 刘艳明 王殿年 杨春梅 郭本东
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  36-41
    摘要： 当前电子产品正趋于小型化、微型化,这对适用于小型化的表面贴装电子元器件的要求越来越高.因此,研究环氧模塑料(Epoxy Molding Compound, EMC)对改善元器件贴装的可靠性,...
  • 7. 基于串口的高速SerDes高效调试方法研究
    作者： 宋林峰 沈鑫 应雯漪 田元波 张秀均 季振凯
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  42-47
    摘要： 随着高速串并收发器(SerDes)传输速率的飞速提升,随之而来的是高速SerDes功能性能参数复杂度的提升,因此针对高速SerDes的高效调试方法成为国内外研究的重要课题.在分析和评价现有测...
  • 8. 一种PCIe交换电路设计与实现
    作者： 林凡淼 刘鑫 陆晓峰
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  48-52
    摘要： 随着高速串行计算机扩展总线标准(PCIe)技术的成熟和应用场合的增多,传统的“点对点”传输已不能满足不同设备之间高速数据传输的需求,因此有必要对PCIe数据交换技术进行研究.为了更加方便且高...
  • 9. 基于0.15 μm GaN工艺的2～18 GHz两级分布式放大器
    作者： 贾洁 蔡利康
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  53-56
    摘要： 介绍了一款2～18 GHz的宽带放大器MMIC,该MMIC利用0.15 μm GaN HEMT工艺设计加工,采用两级分布式结构设计,实现了较高的整体电路增益.利用Agilent ADS仿真设...
  • 10. 一种基于查找表的移位寄存器链的设计
    作者： 刘彤 王德龙 张艳飞 蒋婷
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  57-61
    摘要： 提出了一种基于查找表的移位寄存器链的设计,以查找表的配置存储单元作为移位模块,以查找表的输入信号作为移位地址选择信号,通过对时钟和写使能的控制进行移位操作.1个查找表最大实现32个时钟周期的...
  • 11. 基于开源处理器Rocket的异构SoC设计与验证
    作者： 高营 刘德 鞠虎
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  62-66
    摘要： 随着神经网络隐层数的增多,训练计算量增大.为提高算法的执行效率,包含硬件算法加速器的异构片上系统(SoC)相继被提出.开源处理器Rocket core项目含有核生成器,不仅能够定制核的个数而...
  • 12. 基于二维半导体材料光电器件的研究进展
    作者： 徐春燕 南海燕 肖少庆 顾晓峰
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  67-81
    摘要： 近年来,二维半导体材料因其独特的晶体结构和优良的电子、光电特性吸引了众多科研人员的关注.利用这些材料作为有源沟道,制备出了许多新颖的器件结构,性能较传统器件有很大的提升.在各种器件应用中,基...
  • 13. 低压调整二极管击穿特性分析与优化设计
    作者： 陈正才 彭时秋 林丽 黄龙
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  82-86
    摘要： 介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术.该技术论证了Si平面结型5.1V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构,以及与此...
  • 14. 基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟
    作者： 冒国均 边炜钦 薛海卫 杨光安
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  87-90
    摘要： 为研究SOI MOS器件中寄生PN二极管在瞬时剂量率辐射下产生的光电流效应,采用TCAD工具,对0.13 μm SOI工艺的PN二极管进行建模,数值模拟了二极管光电流变化与不同瞬态γ剂量率辐...
  • 15. 基于多功能传感器的测量系统设计
    作者： 黄凤鸣 费强 刘再兴
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  91-94
    摘要： 设计了一种多功能传感器测量系统.该系统适配多种数据传输接口,由单片机采集温湿度、烟雾、水浸等传感器数据,并对数据进行拟合处理,结合多种灵活的通信协议以及串口/RS485协议,通过液晶(LCD...
  • 16. 《电子与封装》杂志征稿启事
    作者：
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2021年3期
    页码:  后插1
    摘要：

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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