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微纳电子技术

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Micronanoelectronic Technology

曾用名：半导体情报(1964-2001)

AJ SA CSTPCD

影响因子 0.4364

《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多

主办单位：

中国电子科技集团公司第十三研究所

期刊荣誉：

俄罗斯《AJ》收录 美国《剑桥科学文摘》收录 英国《SA》,INSPEC数据库收录

ISSN：

1671-4776

CN：

13-1314/TN

出版周期：

月刊

邮编：

050002

地址：

石家庄市179信箱46分箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 大功率快速软恢复二极管概述

作者：张斌张海涛

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 1-8,32

摘要：详细介绍了快速软恢复二极管的工作原理、参数分析和现状,并且指出了快速软恢复二极管的发展方向及主要的技术难点.
2. 无线系统中的RF器件与电路

作者：张丽娟李和委

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 9-15

摘要：介绍了下一代无线系统中存在的问题,分别概述了无线系统中RF器件与电路的发展与现状.
3. 日本用半导体激光加速植物生长

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 15

摘要：
4. RF LDMOS功率晶体管及其应用

作者：云振新戴洪波

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 16-20,61

摘要：论述了RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点.从与双极晶体管相比较的角度,讨论了这种器件的优异性能.对其发展动态和应用情况作了介绍.
5. 用fs激光产生x射线

作者：贾正根

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 21-23,45

摘要：介绍了用f秒激光器产生的x射线发生装置及其工作原理和基本结构.
6. 半导体量子线材料

作者：张臣赵小宁

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 24-26

摘要：综述了半导体量子线材料的最新动态和发展趋势.
7. 氮化镓研制中的退火技术

作者：张会肖张荣桂杨红伟武喜龙

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 27-32

摘要：总结了GaN薄膜生长和器件制备中退火技术的应用情况,其中涉及退火工艺过程、作用机理以及由此产生的影响.
8. 大直径直拉硅单晶中的空洞型原生缺陷

作者：余学功杨德仁阙端麟马向阳

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 33-38

摘要：空洞型(Void)原生缺陷在大直径直拉硅单晶中的重要性日渐突出.本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时,详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素(氧、氮、碳、氢)杂质的相互作用...
9. C波段高可靠星用介质振荡器、上下混频器一体化模块

作者：何君杨洲

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 39-41

摘要：在高可靠星用模块研究中,采用特殊工艺,将介质振荡器、上下混频器、微波放大器、中放等微波单元集成在尺寸为100mm×40mm×45mm模块中,大大减小了体积、降低了重量,从而应用更广泛,使用更...
10. 索尼,富士公司产量增加

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 41

摘要：
11. 2004年MEMS市场将达到70亿美元

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 41

摘要：
12. IC卡自动付油系统

作者：张淑霞石振科

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 42-45

摘要：为了提高油料供应系统的科学化管理水平,研制开发了一套采用IC卡加油、单片机控制、微机管理的IC卡自动付油控制管理系统.本系统采用主从分布式网络结构,并在硬件及软件上都进行了可靠性设计.
13. MCM-C基板的设计与生产技术

作者：付花亮郑宏宇黄晋生

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 46-47，55

摘要：介绍了高温共烧MCM-C基板的设计与生产技术,以及所解决的重点问题.
14. 超纯水精处理系统与水质评价

作者：林耀泽

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 48-51

摘要：以应0.5μm技术之需而设的一套超纯水精处理系统为实例,介绍了其工艺流程及特点,给出各项水质参数的实测数据,进而评述≤0.25μm/8英寸线的水质评价项目及其限定值、分析手段和应具有的在线检...
15. Q2D半导体电子和空穴统计

作者：吴仲墀罗振华

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 52-55

摘要：用半导体统计方法导出准二维半导体自由载流子面密度的数学表达式,并给出面密度与体密度之间关系式.采用二维半导体自由载流子面密度表示式和范德堡-霍尔实验测量在衬底GaAs上MBE生长的Q2D的样...
16. Si1-xGex薄膜Ge表面偏聚的Monte Carlo模型

作者：叶志镇蒋良俊黄靖云

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 56-58

摘要：目前已经有许多学者研究了用UHV/CVD方法生长Si1-xGex薄膜时Ge在表面、次表面的偏聚.一种对这种实验结果的解释是由于化学原因(例如氧化)造成锗原子的化学势差,这种化学势差成为锗原子...
17. 下期要目预告

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 58

摘要：
18. p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究

作者：罗小蓉龚敏

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 59-61

摘要：研究了p型Al/6H-SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数.采用电流-电压法(Ⅰ-Ⅴ)测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度φb.对其基本电学参数n和φb的温度特性进行了研究...
19. RF/微波业常用简写及缩写(三)

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年3期

页码: 62-63

摘要：

微纳电子技术基本信息

刊名	微纳电子技术	主编	李和委
曾用名	半导体情报(1964-2001)
主办单位	中国电子科技集团公司第十三研究所	主管单位	中华人民共工业和信息化部
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1671-4776	CN	13-1314/TN
邮编	050002	电子邮箱	wndz@vip.sina.com
电话	0311-87091487	网址	www.wndz.org
地址	石家庄市179信箱46分箱