p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性研究

• 作者: 罗小蓉 龚敏
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 工学
• 关键词: 6H碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究探讨
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN305|TN31
• 字数: 1632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.03.014

摘要

研究了p型Al/6H-SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数.采用电流-电压法(Ⅰ-Ⅴ)测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度φb.对其基本电学参数n和φb的温度特性进行了研究,并分析了串联电阻对Ⅰ-Ⅴ特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理系	109	372	10.0	12.0
2	罗小蓉	四川大学物理系	6	5	1.0	2.0