微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 吴巨 曾一平 王占国 王宝强 金鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  321-329
    摘要: 首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质.在...
  • 作者: 于丽娟 晏磊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  330-335
    摘要: 讨论了采用Ⅲ-V族化合物材料制备多结太阳电池时的材料选择和实现方案,重点探讨了采用渐变缓冲层、引入InGaAsN等新材料以及直接键合等三种方法.其中,采用渐变缓冲层结构的Ge/Ga0.35I...
  • 作者: 吴志国
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  336-339
    摘要: 介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法.由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模型.在ADS设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅...
  • 作者: 徐洲 施毅 李兴华 林子夏 潘力佳 濮林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  340-344,356
    摘要: 将A1片在较高的电压下进行阳极氧化,制备了氧化铝纳米线.其形成机制主要是多孔氧化铝膜生长的同时,其微结构单元阵列在薄膜应力作用下沿薄壁处破裂,从而生成了氧化铝纳米线.扫描电镜和透射电镜观测表...
  • 作者: 刘心宇 刘超英 袁昌来 马家峰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  345-349
    摘要: 以Bi2O3,Fe2O3,MnO2和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有负温度系数(NTC)特性的SrBiFeMnO陶瓷.研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能.结果表明:试样的...
  • 作者: 于海涛 刘民 李昕欣 甘小华 许鹏程
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  350-356
    摘要: 设计了谐振式微悬臂梁传感器闭环接口和嵌入式频率读出电路.首先,谐振式微悬臂梁传感器和接口电路组成闭环自激振荡系统.为了提高该闭环系统的频率稳定性和频率跟踪性能,引入具有无相差频率跟踪的锁相环...
  • 作者: 孙玲玲 梁亚平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  357-361,380
    摘要: 介绍了两种适于毫米波应用的RF MEMS实时延时线的设计.首先,在设计中采用了一种新颖的RF MEMS拓宽调节范围的变容器结构,得到了最大变容比为5.39的在片测试结果.其工艺设计基于表面微...
  • 作者: 惠瑜 景玉鹏 王磊 陈大鹏 高超群
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  362-366
    摘要: 提出了一种新型电磁驱动推拉式射频MEMS开关.针对传统静电驱动单臂梁开关所需驱动电压大、恢复力不足等问题,设计了一种推拉式开关结构,降低了驱动电压(电流),提高了开关的隔离度,同时实现了单刀...
  • 作者: 万里兮 吕垚 戴丰伟 王惠娟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  367-371,375
    摘要: 随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案.鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种...
  • 作者: 付兴昌 孙希国 宋洁晶 杨中月
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  372-375
    摘要: 介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术.该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18/μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅...
  • 作者: 唐会明 孙涛 尹青 张国玲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  376-380
    摘要: 针对A1N基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响.通过对A1N基片进行抛光实验,确定pH为10.5~11.5时,采用大粒径、高质量分...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2010年6期
    页码:  381-382
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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