薄膜和量子点的外延生长

• 作者: 吴巨 曾一平 王占国 王宝强 金鹏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 外延生长 薄膜 自组装量子点 InAs/GaAs(001)
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 321-329
• 分类号: TN304.23|O484.1
• 字数: 2078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.06.001

摘要

首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质.在对已经发表过的实验数据进一步分析的基础上,作者对一个量子点自组装生长形成所需要的时间作了一个估算,说明这是一个非常快的过程(<10-4s).最后,作者提出了一个理解量子点自组装生长过程机制的模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	85	439	11.0	16.0
3	王宝强	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	9	21	2.0	4.0
4	金鹏	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	29	262	7.0	16.0
5	吴巨	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	11	15	2.0	3.0