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微纳电子技术2011年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 采用密度泛函数的B3 LYP和非平衡格林函数方法分别对锯齿型单壁(5.0)碳纳米管(SWCNT)及外接Au电极后的电子结构和电子传输特性进行了理论研究.另外用同样的方法,对弯曲的SWCNT和...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 从理论上设计优化了高效率808 nm GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管外延材料的量子阱结构和波导结构参数,并采用低压金属有机气相外延技术实验制备了外延材料.将制作的芯片解理成不...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟.建立该器件的极化效应模型是本项研究的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 利用国产Sic外延材料和自主开发的sic器件工艺加工技术,实现了sic微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了Si...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 采用阳极氧化方法在镍钛形状记忆合金表面成功制备出氧化物纳米管阵列.实验结果表明,阳极氧化电压和温度是影响纳米管生长的重要因素.当阳极氧化电压较低时,温度效应不大,合金表面仅形成数十纳米厚的氧...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 利用自行研制的磁性液体,搭建磁性液体界面不稳定性的实验装置,通过调控电磁铁的励磁电流产生不同的磁场,研究处于磁场中磁性液体界面不稳定性的现象,观察、检测磁性液体突起三维尖峰的数目、间距、高度...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 采用磁控溅射和退火法在Si(111)衬底上制备Au/SiO2,纳米复合薄膜,并在两种实验模式下进行退火处理.模式A:不同的退火温度,退火20 min;模式B:退火温度1 000 0C,不同的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 介绍T GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析.通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 为深入研究微纳米环境中物体的受力与运动状态,实现微纳米环境下的位置感知与位移操作,建立纳米尺度下位移、力检测的理论方法,研制了一种基于厚膜陶瓷电容的微位移传感器.通过采用厚膜混合集成工艺将信...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 建立了一种对称电极组交流电渗流微泵结构,通过改变相邻电极间的AC信号相位,可以方便地实现对微通道流向的控制.根据双电层离子数的空间位阻效应修正,数值求解了双电层Poisson-Boltzma...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 介绍了一种全新的MEMS微型惯性器件,该器件是一种基于热对流原理的热膜式传感器,它利用一个单敏感元件同时测量加速度和角速率.该器件由一个加热器和两组微型温度传感器组成,加热器加热气体形成的热...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 针对微纳流控芯片等器件的对准装配问题,分析了具体操作要求,建立了一套包含显微光学观测单元、机械进给调整和器件吸取一放置等的微装配系统,采用暗场照明观测微纳结构,高精度移动平台精确调整基片与盖...
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13. InP晶片位错密度分布测量刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影...
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14. SiO2胶体对磁头表面污染分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要： 在发生磁头表面污染的清洗工序收集了被污染的样品并提取了水样,将检查后表面无污染的磁头通过清洗用水浸泡准备了模拟样品.用原子力显微镜和超级扫描电子显微镜对两种磁头样品形貌进行观察,结果表明,污...
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15. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2011年3期页码:摘要：
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
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| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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