AlGaN/GaN HEMT势垒层厚度影响的模拟及优化

• 作者: 刘岩 张明华 李惠军 林兆军 申艳芬 魏晓坷
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 二维电子气(2DEG) 极化效应 器件模型
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 150-154,193
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2933字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.03.003

摘要

完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作.使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特性等性能的模拟.建立该器件的极化效应模型是本项研究的重点.完成了对异质结条件下诸多模型参数的筛选及修正,得到了符合理论的模拟结果.器件特性的验证与优化基于势垒层厚度h的变化展开,研究结果显示:漏极电流随h值的增加而增加,当h值超过40 nm时,因二维电子气浓度上升缓慢而使漏极电流趋于饱和;跨导随h值的减小而增大,h每降低10 nm,跨导约增大37 mS/mm;势垒层厚度对高频特性的影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张明华	山东大学信息科学与工程学院	5	5	1.0	2.0
2	林兆军	山东大学物理微电子学院	4	8	2.0	2.0
3	李惠军	山东大学信息科学与工程学院	51	103	5.0	7.0
4	申艳芬	山东大学信息科学与工程学院	2	4	1.0	2.0
5	刘岩	山东大学信息科学与工程学院	12	73	3.0	8.0
6	魏晓坷	山东大学信息科学与工程学院	1	4	1.0	1.0