S波段连续波Sic功率MESFET

• 作者: 刘志平 商庆杰 杨霏 潘宏菽 陈昊 霍玉柱 齐国虎
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率器件 连续波 内匹配 微波
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 155-158
• 分类号: TN386.3|TN304.24
• 字数: 2059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.03.004

摘要

利用国产Sic外延材料和自主开发的sic器件工艺加工技术,实现了sic微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了Sic器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势.与以往的硅微波功率器件相比,在同样的频率和输出功率下,Sic微波功率器件的体积不到Si器件的1/7,重量不到Si器件的20%,其功率增益较Si器件提高了3 dB以上,器件效率也得到了相应的提高.同时由于Sic微波功率器件的输入、输出阻杭要明显高于Si微波功率器件,在一定程度上可以简化或不用内匹配网络来得到比较高的微波功率增益,这就为器件的小体积、低重量莫定了基础,也为器件的大功率输出创造了条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈昊	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	41	4.0	6.0
2	潘宏菽	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	26	3.0	4.0
3	杨霏	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	10	2.0	3.0
4	霍玉柱	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	8	2.0	2.0
5	商庆杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	13	3.0	3.0
6	齐国虎	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	8	2.0	2.0
7	刘志平	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	9	2.0	2.0