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真空电子技术2012年出版文献
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
真空电子技术
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Vacuum Electronics
影响因子
0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的...
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主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
出版文献量（篇）
2372
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7
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 同轴磁控管的频率稳定度越来越受到雷达整机的重视,影响同轴磁控管频率稳定度的因素有多方面的原因,频率热漂移是其中最主要的原因之一.同轴磁控管频率热漂移主要是由其同轴腔决定.本文应用ANSYS对...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了一种X波段宽带大功率多注速调管.该速调管工作于TM220高次模式,采用四组28个电子注栅控电子枪结构,为保证整管的输出带宽及增益采用多腔参差调谐结构高频段及多级滤波器输能系统,为实现满...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 为了进一步提高耦合腔行波管(CCTWT)的电子效率,需要可以计算CCTWT的大信号程序.本文叙述了利用程序CCTaper计算CCTWT腔长渐变对电子效率的影响情况.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了一种绝缘导热瓷件的结构设计,从材料的选择、绝缘距离的考虑等方面进行了考虑,给出了设计结果及实际应用情况.
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65. 《真空电子技术》征稿启事刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年4期页码:摘要：
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66. 高密度连续带状注电子枪仿真研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 传统的电真空辐射源向太赫兹频段发展进程中电子光学系统遇到诸多困难,而带状电子光学系统能够有效解决部分困难.文中采用粒子模拟软件分析了不同阴极面和聚焦极结构对形成带状注的影响,通过仿真计算,对...
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67. 同轴腔特征方程根值的求解方法刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 应用VB程序,选择简单直观的对分法对同轴腔特征方程根值进行编程求解,对设计过程进行了详细说明.应用该程序可以获得任意直径比下所有模式的精确结果,避开在同轴磁控管的设计时查表的烦琐和不精确.在...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 介绍一种应用于医疗加速器的S波段高峰值多注速调管的理论设计过程.给出了多注速调管的整体设计思路,并对电子光学系统、高频系统、输能系统及收集极等主要部件的设计及模拟设计进行了详细的描述,为今后...
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69. X波段风冷行波管的改进刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 介绍了一型X波段风冷耦合腔行波管的改进工作.在采用损耗纽扣慢波结构、双周期磁聚焦和栅控电子枪等技术加以改进后,输出功率、效率和增益都有大幅提高.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 采用离子束溅射沉积法,通过溅射Sm-Fe-B合金靶、Ni-Fe靶及纯Fe靶,在锡青铜和盖玻片衬底上溅射沉积由B掺杂的Sm-Fe-B负磁致伸缩薄膜与Ni-Fe、纯Fe组合的纳米级耦合薄膜材料....
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 研究了在预调制成团的电子注经过孔阵列时所激发的Smith-Purcell超辐射现象.基于Smith-Purcell辐射公式,利用三维模拟软件对采用的结构进行模拟仿真,得到在太赫兹频率段的超辐...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 光电导天线被广泛用于太赫兹波的产生,但是产生的太赫兹功率较低,方向性差.为了改进光电导太赫兹天线输出功率与方向,研究了不同基底厚度对光电导天线辐射功率的影响,其仿真结果表明:辐射功率受基底厚...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 耦合腔行波管(CCTWT)慢波结构(SWS)的冷特性参量包括色散特性、耦合阻抗和分布损耗,是CCTWT研究与设计中的重要参量.本文利用CST微波工作室软件计算了CC TWT的SWS各个尺寸变...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 介绍了一种新型大电流脉冲调制器件——伪火花开关,它利用介电材料沿面放电进行触发,单间隙导通脉冲大电流.目前这种开关已完成产品化,可以用来调制不低于30 kV、50 kA的脉冲,电流上升速率高...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 为了提升某型号行波管新型复杂应力环境下的适应能力,本文基于ABAQUS软件针对关键部件一电子枪组件开展了特定冲击载荷下的强度校核和优化设计工作,有效地提升了整管的抗冲击能力.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 通过对国产螺旋线行波管在现场使用的可靠性数据的收集、整理、分析,建立螺旋线行波管可靠性预计的串联模型.并比较串联模型、回归模型以及299C关于某型行波管的预计值与实际值的接近程度.通过故障模...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 介绍了一种应用于太赫兹器件的大电流密度带状注阴极,带状发射带尺寸为0.14 mm×2.5 mm.该阴极采用特殊的设计和制备工艺,在直流状态下可以提供80 A/cm2的大电流密度.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 针对在医用磁控管中所使用的一种W-Y2O3高温阴极进行了研究.研究结果表明:阴极具有良好的次级发射性能,在阴极低温状态(约600℃)下最大次级发射系数δmax为2.45,满足器件对次级发射阴...
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79. 行波管栅控电子枪随机振动分析刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 针对某行波管栅控电子枪进行结构力学仿真,计算枪体结构的固有频率和加载功率谱密度条件下的随机响应特性,并对仿真结果进行分析,从而在栅控电子枪的力学设计中避免共振,提高结构的安全性,保证行波管稳...
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80. 速调管滤波器的仿真和改进刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 针对速调管滤波器在设计工作中采用了计算机辅助优化,并在此基础上改进了滤波器调谐钉焊接结构.实际结果表明,采用计算机辅助优化可以明显缩短用于调整滤波器的冷测时间,提高测试效率；而改进后的结构可...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要： 引线瓷封件是多级降压收集极的重要部件之一,也是最容易被忽略的部件.小型化多级降压收集极是目前行波管小型化的设计重点,而引线瓷封件的小型化对收集极的小型化影响较大.本文对收集极引线瓷封件的小型...
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82. 《真空电子技术》征稿启事刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年5期页码:摘要：
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要： 阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷.以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力.本...
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84. 场发射平板显示及光源的研究进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要： 首先回顾了场发射阴极材料的发展历程,然后介绍了场发射技术的发展过程、包括器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题,着重介绍了近年来国内外在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括纳米...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要： 在飞速发展的纳米技术支撑下,近年来基于一维纳米材料的冷阴极场致电子发射研究和应用研发获得丰富的成果.相应的理论研究也不断深入,同时也发现一些新的理论问题亟待解决.简要回顾传统场致电子发射理论...
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86. 低维碳基纳米材料的场电子发射特性刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要： 利用等离子辅助化学气相沉积技术制备了一系列低维碳基纳米材料,如碳纳米管、碳纳米管锥及金刚石纳米锥等,由于其优异的力学、热学及电学特性,而成为真空场致电子发射的优选材料.本文介绍在单根和阵列结...
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87. 场发射理论研究进展刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要： 场发射现象在上世纪早期进行过深入的理论和实验研究,但是近年来在显示领域的应用潜力而引起人们的广泛关注和重视；同时场发射现象涉及典型的量子效应即隧穿效应,其细致的物理过程依然值得重视的一个研究...
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88. 2kW连续波磁控管的研制刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要： 利用CST,HFSS,MAGIC软件对2kW连续波磁控管谐振腔的色散特性,静态以及动态特性进行仿真分析,并与实际测试结果进行了比较,其结果较为接近.
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89. 信息动态刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要：
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90. 行波管正反馈太赫兹振荡器基础研究刊名： 真空电子技术发表期刊： 2012年6期页码:摘要： 主要开展了基于先进的计算程序和微加工技术的带延迟反馈的太赫兹折叠波导行波管振荡器的研究.对带延迟反馈支路的太赫兹折叠波导正反馈振荡器的原理、设计方法、三维注波互作用模拟进行了系统的研究,得到...
真空电子技术基本信息
| 刊名 | 真空电子技术 | 主编 | 廖复疆 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 北京真空电子技术研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-8935 | CN | 11-2485/TN |
| 邮编 | 100015 | 电子邮箱 | VETECH@163.com |
| 电话 | 010-84352012 | 网址 | |
| 地址 | 北京749信箱7分箱 |
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