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真空科学与技术学报期刊
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905

真空科学与技术学报

Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
曾用名： 真空科学与技术

CACSCDJSTCSTPCD

影响因子 0.3586
本刊是全国中文核心期刊，长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录，已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅，有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿，已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位：
中国真空学会
ISSN：
1672-7126
CN：
11-5177/TB
出版周期：
月刊
邮编：
100022
地址：
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
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4084
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总被引数（次）
19905
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  • 1. 接触--纳电子器件的关键
    作者： 侯士敏 吴全德 申自勇 薛增泉 赵兴钰
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  241-244
    摘要： 接触是纳电子器件研究中的重要课题.我们以由6个金原子构成的Au6原子线簇为核心工作区的原型纳电子器件为例,利用Green函数方法计算了它的电流-电压特性.计算结果表明,随着Au6原子线簇与两...
  • 2. Ge-SiO2与Si-SiO2薄膜中颗粒形成的对比研究
    作者： 吴雪梅 成珏飞 诸葛兰剑
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  245-248
    摘要： 以Ge-SiO2和Si-SiO2复合靶作为溅射靶,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge-SiO2和Si-SiO2薄膜.然后分别在N2气氛中经过600 ℃-1000 ℃的不同温...
  • 3. 基于二次电子发射的FED中支撑结构的优化设计
    作者： Daniel den Engelsen Wilbert wan der Poel 仲雪飞 尹涵春
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  249-254,262
    摘要： 基于二次电子发射的场致发射显示器(HOPFED)是一种新型的场致发射器件.其新颖之处在于其独特的支撑形状,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性,并...
  • 4. 直流辉光和磁控增强放电等离子体的空间分辨发射光谱技术
    作者： 于红 任春生 张家良 王友年 马腾才
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  255-259
    摘要： 光学发射光谱(OES)方法是等离子体诊断的有力工具之一,可以定量地给出等离子体的多种重要参数,如等离子体中的物种成分、粒子能态分布、激发温度、粒子相对密度等.本文介绍了一种用于电子回旋共振(...
  • 5. 激光分子束外延SrTiO3薄膜退火过程中表面扩散的研究
    作者： 张鹰 李言荣 李金隆 邓新武 魏贤华 黄文
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  260-262
    摘要： 用激光分子束外延研究了SrTiO3同质外延时原位退火中,反射高能电子衍射(RHEED)强度的恢复--驰豫时间,导出了高真空下表面扩散的活化能为0.31 eV,与低真空下的结果相比要小许多,这...
  • 6. 低价硫化铝法从氧化铝直接炭还原制铝的动力学研究
    作者： 刘大春 吴国元 戴永年
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  263-266,270
    摘要： 低价硫化铝法从氧化铝直接炭还原制铝的动力学过程极为复杂,过程的前期受界面化学反应控制,过程后期受扩散过程控制,并求得不同时期的活化能,反应前期:E1=63.81 kJ/mol(6.67 Pa...
  • 7. 反应溅射Ti-Si-N纳米晶复合薄膜的微结构与力学性能
    作者： 李戈扬 梅芳华 胡晓萍 邵楠 顾明元
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  267-270
    摘要： 采用Ar、N2和SiH4混合气体反应溅射制备了一系列不同Si含量的Ti-Si-N复合膜,用EDS、XRD、TEM和微力学探针研究了复合膜的微结构和力学性能.结果表明,通过控制混合气体中SiH...
  • 8. 氟化类金刚石薄膜的研究进展
    作者： 刘贵昌 张茹芝 邓新绿
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  271-275
    摘要： 氟化类金刚石(FDLC)薄膜是在传统类金刚石膜基础上发展起来的一种新型表面改性材料.本文简述了FDLC薄膜的结构、性能,重点介绍了其制备工艺,讨论了源气体的种类和退火工艺对薄膜的影响.
  • 9. 超S25和新S25光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数
    作者： 刘磊 常本康
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  276-278,282
    摘要： 本文根据光谱匹配系数的表达式,计算了超S25(Super S25)和新S25(New S25)光电阴极与粗糙混凝土的光谱匹配系数.在满月光和晴朗星光下:超S251与绿色草木的光谱匹配系数分别...
  • 10. 关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题
    作者： 任荆学 尤大伟 武建军 黄小刚
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  279-282
    摘要： 本文目的在于改进霍尔源的设计,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源.
  • 11. 石英玻璃上生长表面光滑高光透射率的金刚石膜
    作者： 石成儒 郝天亮 韩高荣
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  283-288
    摘要： 石英玻璃衬底在金刚石粉和丙酮形成的悬浮液中超声波预处理,有效提高了金刚石成核密度.在最佳预处理和热丝化学气相沉积条件下,成核密度高达1010 cm-2以上.采用HFCVD中四步法生长工艺,制...
  • 12. 制备WO3电致变色薄膜的低压反应离子镀工艺研究
    作者： 任豪 李筱琳 毕君 罗宇强
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  289-292
    摘要： 在电子束蒸发镀膜的基础上,引入低压反应离子镀工艺制备WO3电致变色薄膜,研究不同氧分压对WO3薄膜电致变色特性的影响,实验结果表明制备时选择工作气体氩气分压为2×10-2 Pa,氧分压为4×...
  • 13. PCVD在狭缝内壁沉积Ti-Si-N薄膜的研究
    作者： 徐可为 马胜利 马青松
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  293-295,298
    摘要： 用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)设备在狭缝的侧壁上沉积Ti-Si-N薄膜.经微观物相分析发现,在狭缝的侧壁上随着测试深度的增加,薄膜中Ti元素逐渐减少,Si含量增加,薄膜的相组...
  • 14. 微波热处理在钛的硅化工艺中的应用
    作者： 何贤昶 吴建生 戴永兵 欧阳斯可 汪涛 沈荷生
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  296-298
    摘要： 采用微波等离子体退火方法使溅射的金属Ti膜与Si(111)衬底发生固相反应,直接生成低阻态的金属硅化物薄膜,XRD检测显示最终生成的C54相TiSi2在Si(111)衬底上有明显的织构,证明...
  • 15. 蓝宝石输出窗的成功封接
    作者： 卢玉华 吴尔生 罗积润 袁广江 郭和忠 阎旭
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  299-302
    摘要： 基于多弧离子镀技术,结合特殊的封接结构和工艺技术,成功地实现了蓝宝石输出窗的真空气密封接.通过试验,证明封接的蓝宝石输出窗具有良好的真空气密性能、抗热烘烤冲击能力、较好的抗拉强度.这一成功为...
  • 16. 用电子束蒸发法低温无损情况下在有机柔性衬底上制作ITO膜及其性能研究
    作者： 冯凯 刘国华 刘浩然 张德贤 李胜林
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  303-305
    摘要： 在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜,需要在低温及无损伤(即避免离子轰击及热损伤等)情况下进行.为满足此要求,采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜,对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底...
  • 17. 接触式串联射频MEMS开关的工艺研究
    作者： 于映 罗仲梓 翁心桥
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  306-308
    摘要： 本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜,溅射Au制作共平面波导,聚酰亚胺作为牺牲层,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层.研究...
  • 18. HfO2在CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为
    作者： 叶超 宁兆元 狄小莲 甘肇强 许圣华 辛煜 陈军 黄松
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  309-312
    摘要： 通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件,利用CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体(ICP)对HfO2和RZJ-306光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究.结果表明,HfO2与等离子体化学相互作用的...
  • 19. HfO2薄膜的反应离子刻蚀特性研究
    作者： 付绍军 刘颖 徐向东 洪义麟 王旭迪
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  313-316
    摘要： 研究了HfO2薄膜在CHF3/Ar和SF6/Ar等气体中的反应离子刻蚀机理.结果表明刻蚀气体的组分和射频偏压对刻蚀速率有较大影响,而气体流量影响不大.CHF3和SF6与HfO2的反应产物具有...
  • 20. 永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统
    作者： 刘毅 吴振宇 杨银堂 汪家友
    刊名： 真空科学与技术学报
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  317-320
    摘要： 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统.通过同轴开口电介质空腔产生表面波,利用高磁能积Nd-Fe-B磁钢块的合理分布形成高强磁场,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高...

真空科学与技术学报基本信息

刊名 真空科学与技术学报 主编 吴锦雷
曾用名 真空科学与技术
主办单位 中国真空学会  主管单位 中国科学技术协会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1672-7126 CN 11-5177/TB
邮编 100022 电子邮箱 vst@chinesevacuum.com
电话 010-58206280 网址
地址 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室

真空科学与技术学报统计分析

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