Ge-SiO2与Si-SiO2薄膜中颗粒形成的对比研究

• 作者: 吴雪梅 成珏飞 诸葛兰剑
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge-SiO2薄膜 Si-SiO2薄膜 nc-Ge颗粒 nc-Si颗粒
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 245-248
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 2756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.04.002

摘要

以Ge-SiO2和Si-SiO2复合靶作为溅射靶,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge-SiO2和Si-SiO2薄膜.然后分别在N2气氛中经过600 ℃-1000 ℃的不同温度的退火.通过X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM),光电子能谱(XPS)分析等测试手段,将两种薄膜进行了比较.在Ge-SiO2样品中,随退火温度的升高,会发生GeOx的热分解或者与Si发生化学反应,引起部分氧原子逸出和Ge原子的扩散和聚集,从而形成纳米Ge的晶粒.在Si-SiO2薄膜样品中,由于Si的成核长大速率较低,因而颗粒长大的速率较慢,薄膜内不易形成Si颗粒.只有经1 000 ℃高温退火后样品中才有少量单质Si颗粒形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成珏飞	苏州大学物理系	5	4	2.0	2.0
3	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
4	诸葛兰剑	苏州大学物理系	59	199	8.0	11.0