摘要:

半导体单道剂量仪是一种测量仪器.采用半导体探头作为辐射探测器,将辐射信号转化成微弱电流,前置级对微弱信号进行积分,定时测量出电压值,此电压值正比于剂量值.主板以单片机为核心,在其外部扩展了ADC,显示模块,E2PROM,打印机、键盘等,具有数据处理、显示、储存、打印、报警值设置、校正系数设置、测量时间设置以及报警等功能.

摘要:

目的:比较指型电离室、针点电离室、平行板电离室、液体电离室、半导体探测器、宝石探测器等多种电离辐射探测器测量剂量时的空间分辨率.方法:以胶片剂量探测器的测量结果为基准.用三维水箱扫描同一高剂量梯度区的剂量,通过测量所选探测器的半影,然后进行分析比较给出不同探测器的空间分辨率.结果:不同探测器的测量结果与胶片相比有显著差异,其差异主要取决于探测器灵敏区域的直径,同时与灵敏体积、几何形状有一定关系.结论:因为半导体探测器具有最小的灵敏区域的直径,它的空间分辨率最高.

摘要:

目的:研究一种有效面积为1 cm×1 cm的半导体探测器对钼靶X射线的响应情况、探测器的输出与胶片达到质控密度时所需曝光量的函数关系,以期将此探测器实际应用于高频乳腺X线摄影AEC控制系统中.方法:将探测器置于暗盒下部,焦片距63 cm,利用高频乳腺X线机分别在28 kV和35 kV管电压情况下对不同厚度组体模照射,测量探测器输出,分析探测器对经体模衰减后的软X射线响应情况;对不同厚度组体模阶梯状排列以不同摄影条件拍摄胶片、测量各阶梯对应密度值,分析在胶片密度为1.0和1.25时,体模厚度与所需曝光量的函数关系,再进一步分析设定密度时探测器输出值与所需曝光量的函数关系.结果:探测器输出与体模厚度之间符合V=V0e-cx函数关系;设定胶片密度时,探测器输出值与所需曝光量之间符合J=J0(V0)k/cV-k/c函数关系.结论:进行相应的电路和控制程序设计,可将此探测器应用于实际的高频乳腺X线摄影自动曝光控制系统中,实现管电压和mAs的自动控制.

摘要:

目的:目前,国内X(γ)刀的国家检定规程正在起草之中,本文的目的是为X(γ)刀剂量测量提供合理的设备与吸收剂量计算方法.材料与方法:利用德国PTW-UNIDOS剂量仪与有效体积为0.015 cc的针尖电离室及自制的小体积半导体探测器相匹配,在160mm直径的有机玻璃球形模体内测量X(γ)刀的输出吸收剂量,并验证其治疗计划的实际输出剂量,得到较满意的结果.结论:为了保证剂量的准确度,X(γ)刀治疗计划系统的实际输出剂量应定期在现场测量与验证,所用探测器的直径应小于射野直径的1/2,小灵敏体积的半导体探测器适宜X(γ)刀小野(如:φ4mm)的测量.

摘要:

测定79 Se时由于79 Se尚无标准样品，需要建立79 Se/Se（79 Se、Se原子个数比，余同）的 AMS测量方法。在79 Se/Se的绝对测定中，为尽可能避免测量Se的同位素之间的差异，通常利用探测器测量79 Se离子，本文用法拉第筒对78 Se和80 Se进行测量，但这造成两个测量系统之间的系统误差。为避免这种系统误差，利用同一探测器测定79 Se、78 Se和80 Se。考虑到78 Se和80 Se的计数率非常高，在CIAE-AMS系统中的静电分析器前和靶室内安装衰减片以降低78 Se和80 Se的计数率。实验结果表明：通过两个衰减片的衰减作用，能将78 Se和80 Se的束流降低到半导体探测器的检测范围内，实现了样品中79 Se/Se的绝对测定，得到79 Se/Se为（2.08±0.10）×10-7，为准确测定79 Se半衰期奠定了基础。

摘要:

应用第一类边界条件泊松方程,推导了碲锌镉(CdZnTe)探测器晶体内部电势分布,研究了CdZnTe探测器在137 Cs高能γ源成像探测过程中的极化效应.数值计算与实验结果表明:在低辐射注量率条件下,即CdZnTe晶体内部载流子电荷密度较低时,内部电势分布主要受外加偏压影响,晶体内部电势与偏压为线性关系,电场呈均匀分布.在高辐射注量率条件下,即晶体内部载流子电荷密度较高时,内部电势分布出现极化区域,电场分布发生扭曲,电子载流子向辐照区域外侧迁移,形成辐照中心无信号而辐照边缘区域仍有响应信号的极化探测图像.极化效应造成CdZnTe探测器探测性能严重退化,辐照边缘区域像素事件计数下降约70％.

摘要:

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状.对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅(SiC)探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考.

摘要:

双面硅条探测器（DSSD）用于实现中国电磁监测试验卫星高能粒子探测器载荷的望远镜系统。为了实现DSSD读出电子学低功耗、高集成度的要求，设计了一种基于ASIC VA64TA2的电子学读出系统，使用241 Am 5.486 MeV α源对DSSD读出系统进行了测试。DSSD探测器结面分辨率为1％～2％，欧姆面分辨率为3％～4％，达到了探测器额定性能。

摘要:

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。

摘要:

设计了一种简易实用的3管电荷灵敏放大器，其使用器件少，调试简单，具有较好的信噪比，适用于离子注入式半导体探测器、金硅面垒半导体探测器的前置放大。