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刊名：物理学报
发表时间：2006-03-01
摘要:
采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%,随激发频率变化(40-70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随频率的增加先降低后提高,晶化率和沉积速率的变化趋势与之相反;在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射峰最高.并从光发射谱的角度研究了材料结构和沉积速率随频率变化的原因.
刊名：人工晶体学报
发表时间：2007-01-01
摘要:
本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌.结果发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个光敏性较大的区域,这个区域内的材料晶化率为零,但是表面存在一些微小的晶粒;与拉曼散射光谱相比,X射线衍射光谱对微小的晶化更加敏感.以这部分材料作为太阳电池的本征层,在SnO2衬底上制备了p-i-n型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.891V.
刊名：物理学报
发表时间：2008-05-01
摘要:
使用光发射谱(OES)对甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积硅薄膜时的等离子体发光基团的空间分布进行了在线监测和研究.研究表明:等离子体的不同发光基团都存在着一个中间强度较大的区域和两边电极附近的暗区;增大硅烷浓度和提高辉光功率都会增大SiH$峰强度;硼烷的加入,使得SiH$和H?峰强度增大,但硼烷流量变化的影响很小;硼烷流量增大,材料的晶化率下降,而,I[H?]/ISiH$]值却上升;当硅烷浓度改变时,空间各个区域内的I[H?]/ISiH$]值的变化规律不同;而改变辉光功率或改变硼烷流量的情况下,空间各个点的I[H?]/ISiH$]值变化规律都是相同的.
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