硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究

• 作者: 孙建 张晓丹 赵颖 陈飞 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 甚高频等离子增强化学气相沉积 等离子体 发光基团 空间分布
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 3276-3280
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.104

摘要

使用光发射谱(OES)对甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积硅薄膜时的等离子体发光基团的空间分布进行了在线监测和研究.研究表明:等离子体的不同发光基团都存在着一个中间强度较大的区域和两边电极附近的暗区;增大硅烷浓度和提高辉光功率都会增大SiH$峰强度;硼烷的加入,使得SiH$和H?峰强度增大,但硼烷流量变化的影响很小;硼烷流量增大,材料的晶化率下降,而,I[H?]/ISiH$]值却上升;当硅烷浓度改变时,空间各个区域内的I[H?]/ISiH$]值的变化规律不同;而改变辉光功率或改变硼烷流量的情况下,空间各个点的I[H?]/ISiH$]值变化规律都是相同的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙建	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	67	311	10.0	14.0
2	赵颖	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	105	1195	16.0	33.0
3	陈飞	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	6	8	2.0	2.0
4	张晓丹	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	57	247	7.0	14.0
5	魏长春	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	24	126	6.0	10.0