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摘要:
本文介绍了多晶硅X型压力传感器的设计和制作工艺。对依据理论模型计算的X型压力传感器的灵敏度和实测值进行了比较,两者均吻合较好,对于经受住2.5倍过载的0 ̄6MPa的多晶硅X型压力传感器,灵敏度约为0.7mv/v/MPa,线性度优于0.5%FS。
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文献信息
篇名 多晶硅X型压力传感器
来源期刊 上海微电子技术和应用 学科 工学
关键词 多晶硅 X型 压力传感器
年,卷(期) 1995,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 19-21
页数 3页 分类号 TN304.12
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研究主题发展历程
节点文献
多晶硅
X型
压力传感器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
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