溅射与沉积过程的计算机模拟

• 作者: A.Lunk G.Rohrbach 陈猛
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 计算机模拟 溅射 沉积 氮化硼膜
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 192-197
• 页数: 6页
• 分类号: TP3
• 字数: 4111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.03.005

摘要

应用TRIM和TRIDYN程序模拟氮化硼材料的溅射率与Ar+入射角的关系,Ar+辅助沉积氮化硼薄膜与硅基片的界面结构,铜基片溅射率与入射能量的关系,以及Ar+以垂直于表面方向轰击非晶硅产生的溅射速率.铜基片溅射率的计算结果与已有的实验数据相比较表明,两者吻合得很好.硅片的溅射速率与应用38-cm宽束离子源设备的实验结果之间也吻合比较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈猛	清华大学电机工程与应用电子技术系	3	2	1.0	1.0