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真空科学与技术学报1998年第2期出版文献
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905
真空科学与技术学报
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本刊是全国中文核心期刊，长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录，已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅，有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿，已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位：
中国真空学会
ISSN：
1672-7126
CN：
11-5177/TB
出版周期：
月刊
邮编：
100022
地址：
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905
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1. 超微细图形加工技术进展刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 自1959年集成电路发明以来,它已经对人类的生产和生活方式的很多方面产生了极其重大的影响.集成电路正以线宽每年缩小30%、集成规模增长1倍、芯片价格随之下降的惊人速度发展.光刻技术的发展始终...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对Ar气氛下射频溅射所镀铬钼合金膜,采集不同组分配比的俄歇电子能谱,经平滑、扣除本底处理,得出随铬钼相对比例改变的变化规律.根据俄歇电子跃迁的准原子模型,对谱峰进行曲线拟合,得出铬钼合金膜并...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积(PEMOCVD)工艺制备含铁聚合物薄膜.考察了偏压、源物加热电压对膜的沉积速率及膜中Fe的填充系数的影响.用IR,XPS,TEM和TED对膜的组成...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 介绍了多碱光电阴极制备过程中测试的光谱响应,并作了简单分析.研究结果表明,Sb,K交替决定双碱化合物Na2KSb的导电类型,Cs处理降低Na2KSb的电子亲和势,延伸长波阈;Sb,Cs交替形...
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5. Si局域分子束外延技术刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构.实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触.这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度.
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对γ相和α相纳米晶体Fe2O3的系列样品进行了X射线衍射点阵参量实验研究和计算.结合所得到的晶粒度和微结构参数,发现纳米晶体Fe2O3的晶粒组元中存在着晶格畸变;随着温度的升高,γ相和α相纳...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性,阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景,并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点.介绍了ZnO:Al薄膜的制备情况:...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例.该理论以单原子发射点假设为基础,用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒,然后用Numerov方法计算其透射比,最后得到楔形发射体的场发射伏...
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9. 真空漏孔的校准方法刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 在检漏工作中,要定量地确定被检漏孔的漏率,需要将漏率的量值从气体微流量标准或漏率标准正确地传递到质谱检漏仪.在这个传递过程中,对参考漏孔的校准是一个很重要的环节.以国内外有关的标准和文献为基...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 利用溅射-气体-聚集(SGA)共沉积法,分别在方华膜和光学石英玻璃衬底上制备了Cu团簇嵌埋在CaF2介质中的Cu/CaF2复合团簇镶嵌薄膜样品.透射电镜(TEM)分析表明,样品为多晶结构;样...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 本实验用对向靶溅射仪分别在S(100),NaCl单晶衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的(Fe,Ti)-N薄膜,研究了氮气分压和衬底温度对薄膜结构与磁性的影响.氮气分压为0.04～0.07...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 氮化硅膜具有对软X射线吸收较小、成膜光滑、强度大和致密性好等优点,因而常选作为窗口材料.本文主要介绍了用于软X射线显微术的氮化硅窗口的制备工艺,给出在国家同步辐射实验室软X射线显微术实验站使...
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13. 含银粗铋真空精炼刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 研究了含银粗铋真空蒸馏精炼的可能性和规律性.试验结果表明,采用真空蒸馏法精炼粗铋在技术上是可行的.所采用的工艺条件为:蒸馏温度900～950℃;时间15～20min;系统残余气体压强25～4...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要：
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15. 《真空科学与技术》学报征稿说明刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要：
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要：
真空科学与技术学报基本信息
| 刊名 | 真空科学与技术学报 | 主编 | 吴锦雷 |
| 曾用名 | 真空科学与技术 | ||
| 主办单位 | 中国真空学会 | 主管单位 | 中国科学技术协会 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1672-7126 | CN | 11-5177/TB |
| 邮编 | 100022 | 电子邮箱 | vst@chinesevacuum.com |
| 电话 | 010-58206280 | 网址 | |
| 地址 | 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室 |
真空科学与技术学报评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
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