CrMo合金膜的俄歇线形分析

• 作者: 何炜 彭澎 黄步雨
• 来源期刊: 真空科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 俄歇线形 CrMo合金膜 局域态密度
• 年，卷（期）: 1998,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 95-105
• 页数: 11页
• 分类号: TG8
• 字数: 3705字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.02.002

摘要

对Ar气氛下射频溅射所镀铬钼合金膜,采集不同组分配比的俄歇电子能谱,经平滑、扣除本底处理,得出随铬钼相对比例改变的变化规律.根据俄歇电子跃迁的准原子模型,对谱峰进行曲线拟合,得出铬钼合金膜并非铬钼的单纯机械混合,其外层电子发生了某种转移,利用高斯曲线对所得俄歇谱拟合后,对每个俄歇峰按成分比进行面积归一化,细致分析后得出钼的N23轨道电子数增多,钼的M45,N1,N23和价带发生变化及移动,并且有一些3d电子从Cr转移到Mo的4d轨道上.而且运用带非负约束的退卷积和退自卷积等新的分析方法,首次利用AES获得了几种不同配比CrMo合金膜的价带态密度分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何炜	清华大学电子工程系	4	10	1.0	3.0
2	黄步雨	清华大学电子工程系	1	0	0.0	0.0
3	彭澎	清华大学电子工程系	2	1	1.0	1.0