基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
通过迁移率谱分析法对LPE和MBE生长的N-HGCDTE样品进行了研究,获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度.通过迁移率谱分析法获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理论分析完全吻合
推荐文章
输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响
有机电致发光器件
复合电流密度
输运层厚度
载流子迁移率
GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究
α-GaN外延薄膜
红外反射光谱
载流子浓度
迁移率
LO声子与等离子体激元耦合模
Raman光谱
碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究
碳化硅
界面态
反型沟道迁移率
阈值电压
弱电导材料中载流子迁移率的测量方法研究
光电子学
渡越时间法
载流子
迁移率
弱电导
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 HGCDTE多载流子体系的迁移率谱分析
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 物理学
关键词 迁移率谱 多载流子体系 HGCDTE
年,卷(期) 1998,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 9-14
页数 6页 分类号 O471.1
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1998(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
迁移率谱
多载流子体系
HGCDTE
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导