利用迁移率谱技术研究p型碲镉汞材料

• 作者: 张可锋 张莉萍 李向阳 林杏潮 林铁 焦翠灵 王仍 王妮丽
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 磁输运 迁移率谱 自然氧化
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 301-304
• 分类号: TN215|TN304.25
• 字数: 3665字
• 语种: 中文

摘要

窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102),更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试,结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率,并给出了它们对电导的相对贡献,以及自然氧化对样品中各种载流子的影响.