作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响
碳化硅薄膜
常压化学气相淀积
表面预处理
硅化
碳化
施硅对玉米生长及蒸腾速率的影响
施Si
玉米
蒸腾速率
水分胁迫
ABA浓度
微量Y和Si掺杂对MoAlB陶瓷显微组织和力学性能的影响
MoAlB
真空热压
元素掺杂
显微组织
力学性能
乙烯掺杂对硅薄膜沉积速率和形貌的影响
APCVD
硅薄膜
乙烯掺杂
AFM
FTIR
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 B掺杂对APCVD Si生长速率的影响
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 B掺杂 APCVD 生长速率
年,卷(期) 1998,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 6
页数 1页 分类号 TN304.12
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1998(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
B掺杂
APCVD
生长速率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
576
总下载数(次)
1
总被引数(次)
0
论文1v1指导