乙烯掺杂对硅薄膜沉积速率和形貌的影响

• 作者: 刘涌 宋晨路 朱建强 王靖 詹宝华 韩高荣
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: APCVD 硅薄膜 乙烯掺杂 AFM FTIR
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 64-66
• 页数: 3页
• 分类号: TQ17
• 字数: 1835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.018

摘要

采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在Si-C.研究了C2H4/SiH4摩尔比对膜厚的影响,随着C2H4/SiH4的增大,薄膜的沉积速率降低,表明乙烯掺杂会抑制薄膜生长,同时乙烯的加入减弱了颗粒的异常长大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学无机非金属材料研究所	187	1971	24.0	35.0
2	宋晨路	浙江大学无机非金属材料研究所	37	372	10.0	18.0
3	王靖	浙江大学无机非金属材料研究所	5	36	3.0	5.0
4	刘涌	浙江大学无机非金属材料研究所	18	59	5.0	6.0
5	朱建强	浙江大学无机非金属材料研究所	2	4	2.0	2.0
6	詹宝华	浙江大学无机非金属材料研究所	2	4	2.0	2.0