利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

• 作者: 廖克俊 王万录
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 异质外延金刚石膜 热灯丝CVD 发射电子 金刚石成核
• 年，卷（期）: 1998,（2）
• 页码范围: 137-140
• 页数: 4页
• 分类号: O7
• 字数: 1902字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.007

摘要

本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学应用物理系	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学应用物理系	66	513	12.0	19.0