氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究

• 作者: 何志 朱品文 王波 赵永年 邹广田 陶艳春
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 立方氮化硼 磁控溅射 红外吸收谱 内应力
• 年，卷（期）: 1998,（7）
• 页码范围: 1136-1139
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 2028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.1998.07.023

摘要

用射频(RF)磁控溅射制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜.FTIR光谱和电子衍射实验表明:该薄膜是纯的,其结晶度很高.FTIR光谱研究指出,基板负偏压是c-BN相形成的重要因素,但也由此产生了c-BN薄膜的应力,且负偏压越高,产生的应力越大.比较透射谱和反射谱的结果,c-BN薄膜表面层的应力小于内部的.按照c-BN形成的压力模型,表面应力小到一定程度可能影响c-BN的继续生长.一个特制的分层结构BN薄膜保留了由于应力造成的c-BN的裂纹,这个裂纹分布在一些同心圆上,中心是缺陷或杂质,同心圆之间有明显的分界线,把c-BN表层分割成许多应力区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶艳春	吉林大学超分子结构与谱学开放实验室	18	99	5.0	9.0
2	王波	吉林大学超硬材料国家重点实验室	36	268	8.0	15.0
3	邹广田	吉林大学超硬材料国家重点实验室	71	390	9.0	16.0
4	朱品文	吉林大学超硬材料国家重点实验室	18	91	6.0	8.0
5	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0
9	何志	吉林大学超硬材料国家重点实验室	12	86	6.0	9.0