Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果

• 作者: 陈效建
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaAs/InGaAs低噪声 赝配高速电子迁移率晶体管 CAD Schroedinger/Poisson方程解析器 优化
• 年，卷（期）: 1998,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 120-123
• 分类号: TP3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.11.027

摘要

讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点.藉助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT用异质层结构的数值计算及CAD优化.确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度与厚度.上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈效建		40	253	9.0	14.0