在高ECR等离子体密度下沉积高质量氮化镓薄膜

• 作者: 姚鑫兹 朱鹤荪 杜小龙 陈广超
• 来源期刊: 北京理工大学学报（英文版）
• 学科: 化学
• 关键词: 电子回旋共振 氮化镓 离子密度
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 374-380
• 页数: 7页
• 分类号: O539|O646.9
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0579.1999.04.008

摘要

目的研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长GaN时的离子密度对其质量的影响. 方法用朗缪尔探针测量离子密度,用X射线双晶衍射及霍尔测量分析GaN的质量与性能. 结果离子密度越高,薄膜的质量与性能就越好. 当生长GaN时的离子密度为2.0×1011 cm-3时,所得GaN晶膜的氮镓量比接近于1,本底电子密度为3.7×1018 cm-3,X射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为16 arcmin. 结论提高离子密度能明显提高GaN的质量与性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱鹤荪	北京理工大学材料科学研究中心	17	316	9.0	17.0
2	陈广超	中国科学院物理研究所	3	7	1.0	2.0
3	杜小龙	北京理工大学材料科学研究中心	1	0	0.0	0.0
4	姚鑫兹	中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0