高温热退火时异质结薄膜CEO2/SI界面扩散-反应的?…

• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 高温 异质结 薄膜 扩散反应 氧化铈 硅 热退火
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 332-335
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12|O471
• 语种: 中文

摘要

基于CEO2/SI异质结在氧气氛下高温退火界面存在扩散反应过程,建立了扩散-反应方程.对有关的实测数据进行了计算机拟合,其结果与实验能很好吻合.不同温度下的拟合结果还表明,异质结界面处O.CE,SI扩散系数及SI的氧化反应系数的随温度指数上升,并计算出扩散反应激活能.