磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

• 作者: 刘志凯 杨少延 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 CeO2薄膜 发光
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 1585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.017

摘要

利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志凯	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	43	4.0	5.0
2	柴春林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	14	46	4.0	6.0
3	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	33	154	6.0	11.0
4	杨少延	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	35	3.0	5.0