InAsP/InGaAsP量子阱的子带跃迁计算

• 作者: 张永刚 李爱珍 陈建新
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光电器件 半导体激光器 量子阱结构 化合物半导体 子带跃迁
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 333-336
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.05.011

摘要

采用有效质量框架下一维有限深单阱的Kronig-Peney模型对InAsyP1-y/In1-xGaxAsyP1-y量子阱结构的跃迁波长与组分及阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此材料体系的生长临界厚度.计算结果表明, InAsyP1-y/In1-xGaxAsyP1-y是制作 1.3 μm 或 1.55 μm波长量子阱激光器的良好材料体系,此材料体系在2～3 μm的中红外波段也有很大潜力.采用y约为0.4的组分和约 1.3% 的压应变可以满足 1.3 μm 波长激光器的要求,而y约为0.55的组分和约1.8%的压应变可以满足1.55 μm波长激光器的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李爱珍	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
2	张永刚	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
3	陈建新	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	56	564	13.0	21.0