无序和有序GaInP2的光致发光谱

• 作者: 俞容文 吕毅军 郑健生
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 发光 有序 无序 Ⅲ-V族半导体
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 362-365
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1654字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.1999.03.008

摘要

对无序和有序GaInP2样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量.无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构,在不同温度区有不同的激活能.有序样品则表现为双峰结构,其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭.根据样品有序度及取向超晶格模型解释了实验现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕毅军	厦门大学物理学系	26	77	4.0	8.0
2	郑健生	厦门大学物理学系	17	28	4.0	4.0
3	俞容文	厦门大学物理学系	1	4	1.0	1.0