Cr-AlN界面的二次离子质谱研究

• 作者: 岳瑞峰 王佑祥 陈春华
• 来源期刊: 分析测试学报
• 学科: 化学
• 关键词: 铬 氮化铝 界面 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 5-7
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4957.1999.03.002

摘要

采用电子束蒸发的方法在200 ℃抛光的氮化铝(AlN)陶瓷衬底上淀积200 nm的Cr膜,并在高真空中退火.利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs+型二次离子)对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系.结果表明,MCs+-SIMS技术是研究金属-陶瓷界面扩散与反应的有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈春华	中国科学院表面物理国家重点实验室	22	244	8.0	15.0
2	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
3	王佑祥	中国科学院表面物理国家重点实验室	4	6	2.0	2.0