基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文在PSPICE电路模拟的基础上设计了一套GaAs IC对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同GaAs IC对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,SDFL对阈值电压均匀性的要求较低,σVth为218mV,DCFL和BDCFL对阈值电压均匀性要求较高,σVth分别为38mV和35mV.模拟计算还提出:优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同.这些理论计算分析的结果对GaAs IC的电路设计和工艺选择均有重要指导意义.
推荐文章
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型
SOI LDMOS
阈值电压
准二维方法
功率VUMOSFET器件阈值电压最佳化设计
VUMOSFET
阈值电压
SILVACO
埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响
绝缘体上硅
局部氧化隔离
界面应力
基于双阈值电压分配算法的芯片功耗优化设计
双阈值电压分配算法
功耗优化
静态时序分析
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 GaAs IC 阈值电压均匀性 PSPICE模拟
年,卷(期) 1999,(5) 所属期刊栏目 学术论文与技术报告
研究方向 页码范围 62-65
页数 分类号 TP3
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.1999.05.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵建龙 中国科学院上海冶金研究所 140 1166 18.0 26.0
2 夏冠群 中国科学院上海冶金研究所 61 307 9.0 16.0
3 刘汝萍 中国科学院上海冶金研究所 5 1 1.0 1.0
4 吴剑萍 中国科学院上海冶金研究所 2 1 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (3)
1999(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2000(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2006(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2007(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
GaAs IC
阈值电压均匀性
PSPICE模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
论文1v1指导