亚微米及深亚微米常规和LDD MOSFET性能研究

• 作者: 刘理天 孙自敏 李志坚
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米MOSFET 器件结构 热载流子效应 电源电压
• 年，卷（期）: 1999,（Z1）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 110-113
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.1999.Z1.029

摘要

对亚微米及深亚微米常规和轻掺杂漏(LDD) MOSFET性能进行研究.制作出常规及LDD深亚微米MOSFET.数值模拟和实测发现,对于深亚微米常规NMOSFET,只要设计适当,可在关态电流被限制在允许的条件内,利用降低工作电压减小热载流子效应以保证同样的可靠性,而其性能则可以高于需用更高工作电压的相同沟道长度LDD器件,从而有利于器件面积的减小和工作功耗的降低.即使对于已经实际生产的0.5μm及0.35μm沟道的器件情况也是如此.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0
3	孙自敏	清华大学微电子学研究所	2	4	1.0	2.0