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摘要:
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对CMOS集成电路参数进行统计优化设计的方法,分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型,并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件.
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文献信息
篇名 CMOS电路参数的统计优化设计
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 实验设计 工艺因素 阈值电压 优化设计
年,卷(期) 1999,(5) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 126-128
页数 分类号 TN6
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.1999.05.039
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 甘学温 北京大学微电子学研究所 13 141 7.0 11.0
2 杜刚 北京大学微电子学研究所 15 56 5.0 7.0
3 肖志广 北京大学微电子学研究所 2 20 2.0 2.0
4 冯小敏 北京大学微电子学研究所 1 8 1.0 1.0
5 李佑斌 北京大学微电子学研究所 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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实验设计
工艺因素
阈值电压
优化设计
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