窄禁带Hg0.79Cd0.21Te的红外光致发光

• 作者: 唐文国 常勇 王晓光 褚君浩
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 HgCdTe 窄禁带半导体
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 174-176
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.03.003

摘要

对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进,引入双调制技术,消除了室温背景黑体辐射在4μm至5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰,在10μm红外波段得到了组分x=0.21窄禁带HgCdTe的光致发光光谱,对光谱的主要结构也进行了指认,发现存在于这种材料中的4meV的杂质能级,其来源是材料中的浅杂质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓光	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	38	172	7.0	11.0
2	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
3	常勇	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	20	146	6.0	11.0
4	唐文国	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	7	2.0	2.0