MOCVD外延HgHg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光

• 作者: 姬荣斌 张光寅 张存洲 潘顺臣 王吉有 许京军 黄晖
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD Hg0 8Cd0.2Te外延薄膜 光致发光 Raman显微镜
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 133-136
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1972字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.02.007

摘要

利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0 2Te外延薄膜样品在光谱范围50～5000cm-1进行了测量,在其中的一块样品上首次发现了1.43eV至1.93eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰,该发光峰对应的能带中心位于Hg0.8Cd02Te外延层导带底上方1.73eV,在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰,没有周期结构的发光峰.为了分析上述光致发光的起因,对两块样品进行了x射线的双晶回摆曲线样品结构分析,得出样品在1.43eV至1.93eV范围的光致发光峰是由于改进MOCVD生长工艺提高了样品的结构质量所致,通过分析指出该光致发光峰是来源于Hg08Cd0.2Te外延层中的阴性离子空位的共振能级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张存洲	南开大学物理科学学院光子学中心	53	388	12.0	17.0
2	张光寅	南开大学物理科学学院光子学中心	129	1165	18.0	26.0
3	许京军	南开大学物理科学学院光子学中心	80	471	12.0	17.0
4	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
5	王吉有	南开大学物理科学学院光子学中心	11	50	3.0	6.0
6	黄晖	南开大学物理科学学院光子学中心	18	107	6.0	9.0
8	潘顺臣		22	233	8.0	14.0